[發明專利]磁性存儲單元的寫入方法與磁性存儲陣列結構

有效

• 申請號: 200710091820.6
• 申請日: 2007-03-23
• 公開（公告）號: CN101271727A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 李元仁;高明哲
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種磁性存儲單元的寫入方法，其中磁性存儲單元包括磁性自由迭層有雙方向易軸，對于以磁場X軸與磁場Y軸作為參考方向，該雙方向易軸基本上在磁場X軸上，該方法包括：

施加第一磁場在該磁場Y軸的第一方向上；

施加第二磁場在該磁場X軸的第一方向上，與該第一磁場迭加；

停止施加該第一磁場；

施加第三磁場在該磁場Y軸且與該第一方向相反的第二方向上；

停止施加該第二磁場；以及

停止施加該第三磁場。

2.?如權利要求1所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中施加該第一磁場與施加該第二磁場的時間順序是該第一磁場先于該第二磁場。

3.?如權利要求1所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中停止施加該第二磁場與停止施加該第三磁場的時間順序是該第二磁場先于該第三磁場。

4.?如權利要求1所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中該磁場Y軸的該第一方向是該磁場Y軸的正方向或是負方向。

5.?如權利要求4所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中該磁場X軸的該第一方向是該磁場X軸的正方向或是負方向。

6.?一種磁性存儲單元的寫入方法，其中多個磁性存儲單元構成依照磁場X軸與磁場Y軸的方向構成二維的陣列結構，每一該磁性存儲單元有雙方向易軸基本上在磁場X軸上，該陣列結構包括至少一個存儲單元列以及至少兩個存儲單元行，該方法包括：

施加第一磁場給該存儲單元列的每一個該磁性存儲單元，該第一磁場在該磁場Y軸的第一方向上；

施加第二磁場給該存儲單元行的每一個該磁性存儲單元，該第二磁場在該磁場X軸的第一方向上，與該第一磁場迭加；

對于要改變儲存數據的對應該存儲單元，進行：

停止施加該第一磁場；以及

施加第三磁場在該磁場Y軸且在第二方向上與該第一方向相反；

對于不要改變儲存數據的對應該存儲單元，進行：

維持施加該第一磁場，或是停止區間后再度施加第四磁場在該磁場Y軸且與該第一方向相同；

停止施加該第二磁場；以及

停止施加仍有的該第三磁場以及該第一磁場或該第四磁場。

7.?如權利要求6所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中施加該第一磁場與施加該第二磁場的時間順序是該第一磁場先于該第二磁場。

8.?如權利要求6所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中停止施加該第二磁場與停止施加該第三磁場以及該第一磁場或該第四磁場的時間順序是該第二磁場較先。

9.?如權利要求6所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中該磁場Y軸的該第一方向是該磁場Y軸的正方向或是負方向。

10.?如權利要求6所述的磁性存儲單元的寫入方法，其中該磁場X軸的該第一方向是該磁場X軸的正方向或是負方向。

11.?一種磁性存儲陣列結構，包括：

多個磁性存儲單元，依照磁場X軸與磁場Y軸的方向構成二維的存儲陣列，其中每一該磁性存儲單元包括磁性自由迭層有雙方向易軸，基本上在磁場X軸上，該陣列結構包括至少一個存儲單元列以及至少兩個存儲單元行；

至少一條第一電流線，連接屬于該存儲單元列的所有該磁性存儲單元，以可以提供在該磁場X軸上的X磁場；以及

至少兩條第二電流線，分別連接屬于該至少兩個存儲單元行的所有該磁性存儲單元，以提供在該磁場X軸上的Y磁場，

其中該至少兩條第二電流線分別依照所定時序，輸入對應的磁場波形，驅動該存儲單元列上的該存儲單元，依需要分別以改變或不改變每一該存儲單元的儲存數據。

12.?如權利要求11所述的磁性存儲陣列結構，其中改變該存儲單元的該儲存數據的該磁場波形包括：

施加第一磁場在該磁場Y軸的第一方向上；

施加第二磁場在該磁場X軸的第一方向上，與該第一磁場迭加；

停止施加該第一磁場；

施加第三磁場在該磁場Y軸且與該第一方向相反的第二方向上；

停止施加該第二磁場；以及

停止施加該第三磁場。

13.?如權利要求12所述的磁性存儲陣列結構，其中施加該第一磁場與施加該第二磁場的時間順序是該第一磁場先于該第二磁場。