[發明專利]制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法

無效

• 申請號: 200710091742.X
• 申請日: 2007-04-09
• 公開（公告）號: CN101286452A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 陳哲明;陳能國;廖秀蓮;蔡騰群;黃建中;孫世偉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，包含有：

提供半導體基底、柵極介電層位于該半導體基底上，以及柵極位于該柵極介電層上，該半導體基底具有源極區域與漏極區域，該源極區域與該漏極區域分別位于該柵極兩側的該半導體基底中；

在該半導體基底上形成應力覆蓋層并覆蓋該柵極、該源極區域與該漏極區域；以及

進行惰性氣體處理，以改變該應力覆蓋層的應力值。

2.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導體晶體管元件為N型金屬氧化物半導體晶體管元件。

3.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該金屬氧化物半導體晶體管元件為P型金屬氧化物半導體晶體管元件。

4.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該應力覆蓋層包含有氮化硅。

5.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中在該惰性氣體處理之前，該應力覆蓋層具有伸張應力。

6.如權利要求5所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理是用來減少該應力覆蓋層的該伸張應力。

7.如權利要求5所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理前的該伸張應力的應力值范圍介于0.5GPa與2.5GPa之間。

8.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理在化學氣相沉積設備之中進行。

9.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理在物理氣相沉積設備之中進行。

10.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理中包含有氬氣與其他惰性氣體。

11.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該惰性氣體處理的處理功率介于0.1千瓦與10千瓦之間。

12.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中在形成該應力覆蓋層之后，該方法另包含有紫外線硬化工藝、高溫峰值退火工藝、激光退火工藝或電子束處理。

13.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中在該惰性氣體處理步驟之后另包含有快速熱處理工藝。

14.如權利要求13所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中在該快速熱處理工藝步驟之后另包含有去除該應力覆蓋層的步驟。

15.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該方法另包含有在該漏極區域與該源極區域形成硅化金屬層的步驟。

16.如權利要求15所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該應力覆蓋層在蝕刻接觸洞時作為接觸蝕刻停止層。

17.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該柵極的相對兩側壁上具有襯墊層。

18.如權利要求17所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該襯墊層上具有側壁子。

19.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中該方法另具有在該半導體基底中形成淺結源極延伸與淺結漏極延伸的步驟。

20.一種制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，包含有：

提供半導體基底，該半導體基底上定義有第一晶體管區域與第二晶體管區域，該第一與該第二晶體管區域上分別包含有柵極結構，各該柵極結構相對兩側的該半導體基底中具有源極區域與漏極區域；

在該第一與該第二晶體管區域中的該半導體基底上形成應力覆蓋層，該應力覆蓋層覆蓋在該等柵極結構、該等源極區域與該等漏極區域上；以及

進行惰性氣體處理，以改變該第二晶體管區域中的該應力覆蓋層的應力值。

21.如權利要求20所述的制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法，其中在該惰性氣體處理之前，該方法另包含有在該應力覆蓋層上形成圖案化硬掩模的步驟，該圖案化硬掩模覆蓋在該第一晶體管區域中的該應力覆蓋層上，而暴露出該第二晶體管區域中的該應力覆蓋層。