[發(fā)明專利]級聯(lián)放大電路、使用級聯(lián)放大電路的半導(dǎo)體集成電路和信號接收裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710091686.X
• 申請日: 2007-03-28
• 公開（公告）號: CN101093979A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 濱口睦
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H03F1/22
• 分類號: H03F1/22
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 張鑫

1.一種級聯(lián)放大電路，其中，發(fā)射極接地的第一晶體管或源極接地的第一場效應(yīng)晶體管和基極接地的第二晶體管或柵極接地的第二場效應(yīng)晶體管被級聯(lián)連接，該級聯(lián)放大電路的特征在于：

具備選擇裝置，選擇是否使上述第一晶體管的集電極或第一場效應(yīng)晶體管的漏極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

具備第一電壓控制裝置，控制被施加給上述第二晶體管的基極或第二場效應(yīng)晶體管的柵極的電壓；

在上述選擇裝置進(jìn)行接地動作時，上述第一電壓控制裝置對上述第二晶體管的基極電壓或第二場效應(yīng)晶體管的柵極電壓進(jìn)行控制，從而減少流經(jīng)上述第二晶體管或第二場效應(yīng)晶體管的電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

在上述選擇裝置進(jìn)行接地動作之前，上述第一電壓控制裝置進(jìn)行動作使得預(yù)先降低上述第二晶體管的基極電壓或第二場效應(yīng)晶體管的柵極電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

對上述選擇裝置進(jìn)行控制，使得在輸入信號的信號電平達(dá)到預(yù)定的閾值時上述選擇裝置導(dǎo)通，在輸入信號的信號電平未達(dá)到預(yù)定的閾值時上述選擇裝置關(guān)斷。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

根據(jù)控制電壓來檢測輸入信號的信號電平，該控制電壓用于控制上述級聯(lián)放大電路的增益。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

具有第二電壓控制裝置，控制被施加給上述第一晶體管的基極或第一場效應(yīng)晶體管的柵極的電壓；

根據(jù)上述第一晶體管的基極電壓或第一場效應(yīng)晶體管的柵極電壓來控制上述選擇裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

根據(jù)上述第二晶體管的基極電壓或第二場效應(yīng)晶體管的柵極電壓來控制上述選擇裝置。

8.一種級聯(lián)放大電路，其特征在于：

具備多級權(quán)利要求1所述的級聯(lián)放大電路；

在相鄰的兩級級聯(lián)放大電路之間，前級級聯(lián)放大電路的第二晶體管的集電極或第二場效應(yīng)晶體管的漏極和后級級聯(lián)放大電路的第二晶體管的集電極或第二場效應(yīng)晶體管的漏極相互連接；

上述前級級聯(lián)放大電路的第一晶體管的基極或第一場效應(yīng)晶體管的柵極和上述后級級聯(lián)放大電路的第一晶體管的基極或第一場效應(yīng)晶體管的柵極相互連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

上述前級級聯(lián)放大電路的上述第一晶體管的基極或第一場效應(yīng)晶體管的柵極和上述后級級聯(lián)放大電路的上述第一晶體管的基極或第一場效應(yīng)晶體管的柵極通過耦合電容相互連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

在增益大于預(yù)定閾值的級聯(lián)放大電路中具備選擇裝置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級聯(lián)放大電路，其特征在于：

上述選擇裝置采用MEMS開關(guān)。

12.一種半導(dǎo)體集成電路，其特征在于：

包括權(quán)利要求1至11的任一項(xiàng)所述的級聯(lián)放大電路。

13.一種信號接收裝置，其特征在于：

包括權(quán)利要求1至11的任一項(xiàng)所述的級聯(lián)放大電路。

14.一種信號接收裝置，其特征在于：

具備權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路。