[發(fā)明專利]雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710091610.7
• 申請日: 2007-04-03
• 公開（公告）號: CN101281879A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周玲君;陳銘聰;曹博昭
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，包括

提供基底，該基底上具有接觸區(qū)；

在該基底上形成第一介電層；

在該第一介電層中形成下部開口，其與該接觸區(qū)相對應(yīng)；

在該第一介電層上形成第二介電層；

在該第二介電層中形成上部開口，其自行對準(zhǔn)該下部開口并與其連通構(gòu)成自行對準(zhǔn)接觸窗開口；以及

在該自行對準(zhǔn)接觸窗開口中形成導(dǎo)電層。

2.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟中，所形成的該下部開口裸露出該接觸區(qū)上的部分該第一介電層，且在進(jìn)行形成該上部開口的步驟時，還包括去除該下部開口底部的該第一介電層，裸露出該接觸區(qū)。

3.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第一介電層包括應(yīng)力層。

4.?如權(quán)利要求3所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該應(yīng)力層的材質(zhì)包括氮化硅。

5.?如權(quán)利要求3所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟中是以定時方式蝕刻該應(yīng)力層，使所形成的該下部開口的底部仍有部分該應(yīng)力層覆蓋于該接觸區(qū)上。

6.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第一介電層由下而上包括蝕刻終止層、終點(diǎn)偵測層與應(yīng)力層。

7.?如權(quán)利要求6所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該蝕刻終止層的材質(zhì)包括氮化硅，該終點(diǎn)偵測層的材質(zhì)包括氧化硅，該應(yīng)力層的材質(zhì)包括氮化硅。

8.?如權(quán)利要求6所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟中，該下部開口是裸露出該應(yīng)力層、該終點(diǎn)偵測層或該蝕刻終止層。

9.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第一介電層由下而上包括終點(diǎn)偵測層與應(yīng)力層。

10.?如權(quán)利要求9所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該終點(diǎn)偵測層的材質(zhì)包括氧化硅，該應(yīng)力層的材質(zhì)包括氮化硅。

11.?如權(quán)利要求9所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟中，該下部開口是裸露出該應(yīng)力層或該終點(diǎn)偵測層。

12.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，還包括在該形成該下部開口之后，形成該第二介電層之前，在該下部開口的側(cè)壁形成襯層。

13.?如權(quán)利要求12所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該襯層的材質(zhì)包括氧化硅或氮氧化硅。

14.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第二介電層的材質(zhì)是選自于常壓化學(xué)氣相沉積的氧化硅、高密度等離子體氣相沉積的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃與氟摻雜玻璃及其組合所組成的族群。

15.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該自行對準(zhǔn)接觸窗為源極/漏極區(qū)的接觸窗、柵極的接觸窗，或源極/漏極區(qū)與柵極的共用接觸窗。

16.?如權(quán)利要求1所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該下部開口與該上部開口的尺寸不同。

17.?如權(quán)利要求16所述的雙階段自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該下部開口的尺寸小于與該上部開口的尺寸。

18.?一種自行對準(zhǔn)接觸窗，包括：

下部接觸窗，位于基底的介電層中；以及

上部接觸窗，位于該介電層中且位于該下部接觸窗上并與其直接連接，且該上部接觸窗與該下部接觸窗的尺寸不同。

19.?如權(quán)利要求18所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該上部接觸窗的尺寸大于該下部接觸窗的尺寸。

20.?如權(quán)利要求18所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該自行對準(zhǔn)接觸窗為與源極/漏極區(qū)連接的接觸窗、與柵極連接的接觸窗，或為源極/漏極區(qū)與柵極的共用接觸窗。

21.?如權(quán)利要求18所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，還包括襯層，位于該下部接觸窗之外圍與該介電層之間。