[發明專利]有機EL顯示裝置

無效

• 申請號: 200710090459.5
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101055887A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 坂元博次;加藤真一;寺門正倫;松浦利幸
• 申請（專利權）人: 株式會社日立顯示器
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H05B33/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 季向岡

技術領域

本發明涉及有機EL顯示裝置。

背景技術

頂部發光型(以下稱為“TE型”)的有源矩陣式有機EL(electroluminescence)顯示裝置(以下稱為“AM-OLED”)與在先開發的產品的底部發光型(以下稱為“BE型”)AM-OLED的較大不同點是發光的出射方向。

BE型AM-OLED在由有源元件來驅動矩陣狀配置的各像素PXL的有源矩陣基板(以下稱為“TFT基板”)上具有TFT基板側的下部電極、包括由有機層構成的發光層的功能層OLBF、上部電極CD的層疊構造的結構(以下稱為“有機EL元件”)，按每個像素PXL形成透明導電膜即ITO作為其下部電極，通過用有源元件控制流入形成在該ITO之上的發光層的電流來進行顯示。因為在TFT基板側射出由發光層產生的光，所以在發光層之上形成的上部電極CD成為在有效顯示區域AR前面一并形成具有高反射特性的金屬的結構。因為該具有高反射特性的金屬的薄膜電阻低，所以能作為各像素PXL的公共電極使電位充分回歸至驅動電路。

而在TE型AM-OLED中，因為并不是在TFT基板側而是在上部電極CD側射出由發光層產生的光，所以需要將下部電極取為具有反射特性的金屬，將上部電極CD取為透明導電膜。這里的所謂透明導電膜并不僅僅是一般被稱為透明導電膜的IZO、ITO、ZnO這樣的In、Zn、Sn族氧化膜，而且也含有薄膜Ag、薄膜Al。因為由這些透明導電膜形成的電極的薄膜電阻大，所以作為上部電極CD，若僅是在有效顯示區域AR的整個面一并形成，則會產生電位梯度，進而產生畫面內的亮度傾斜。

在專利文獻1和2中公開了如下技術：為了表面上降低光射出側的透明導電膜的電阻而利用金屬輔助電極將透明導電膜劃分成某種程度的微小區域。在專利文獻1中公開了下部電極間的作為絕緣膜的堤(bank)之下設置有與下部電極同層且被分離的輔助布線，而且通過接觸孔使該輔助布線與上部電極CD連接的結構。在專利文獻2中，公開了在有機EL元件的上部電極CD的上層、與堤相重疊的區域設置輔助布線的結構。

專利文獻1：日本特開2001-230086號公報

專利文獻2：日本特開2002-318556號公報

發明內容

在專利文獻1中，通過接觸孔使輔助電極和有機EL元件的下部電極之下的下層布線之間連接。若接觸孔內形成包括發光層的有機EL元件的一個功能層OLBF，則由于電連接變得不可能，所以需要在接觸孔附近設置功能層OLBF的形成偏移量以上的非形成區域。即若根據專利文獻1的技術，則不得不降低開口率(平均1個像素PXL的發光面積(堤開口面積)在1個像素PXL全部面積中所占的比例)。

在專利文獻2中，在上部電極CD之上形成輔助電極，即在比專利文獻1更接近顯示面的位置上形成輔助電極，因此，利用輔助電極和下部電極的反射特性差，將會在畫面上看到清晰的輔助電極的反射現象。

本發明的目的在于提供一種明亮且畫面上的亮度不均少的TE型AM-OLED。

本發明為了實現上述目的，例如采用以下方案。

在有機EL元件具有從TFT基板側開始按照下部電極、包括有機發光層的功能層OLBF、上部電極CD的順序層疊的結構的TE型AM-OLED中，將上部電極CD取為全部有機EL元件公用的電極，也就是，取為β電極，在其上部電極CD和功能層OLBF之間，形成由電導率比上部電極CD高的材料構成的輔助電極。

另外，換一種角度而言，當采用那樣的結構時，是在作為β電極的上部電極CD和功能層OLBF之間形成輔助電極，則夾著該輔助電極的上部電極CD上的2點間的薄膜電阻比不夾著輔助電極的上部電極CD上的2點間的薄膜電阻低。

這樣，通過使用電阻值比上部電極CD低的金屬作為輔助電極，使在與上部電極CD重合的功能層OLBF之上的全部電極的薄膜電阻降低，能夠抑制在面內的電壓降。

通過在上部電極CD和功能層OLBF之間形成該輔助電極，具體而言是采用在上部電極CD的正下方將該輔助電極電連接在上部電極CD上的結構，在至顯示面之間夾著上部電極CD，因此，因為輔助電極的反射光變得模糊，所以能夠減少由輔助電極的反射引起的畫面上的亮度不均，使顯示品質得到提高。

作為該輔助電極的形狀、結構、形成位置等，優選方式如下。

(1)法線方向的結構：堤上