[發(fā)明專利]形成氧化物膜的方法和氧化物沉積設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710090344.6
• 申請(qǐng)日: 2007-04-04
• 公開（公告）號(hào): CN101050523A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李振鎬;韓泳基;郭在燦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/40
• 分類號(hào): C23C16/40;C23C16/448
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.一種在襯底上形成氧化物膜的方法，其包含：

將多個(gè)襯底放置在反應(yīng)空間中的襯底安裝單元上；和

通過具有多個(gè)注射零件的氣體注射器將過程氣體供應(yīng)到所述襯底上，

其中所述供應(yīng)過程氣體的步驟包括：

通過所述氣體注射器的第一注射零件供應(yīng)包含SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、TEOS、DCS、 HCD和TSA中的至少一者的含硅氣體；

通過所述氣體注射器的第二注射零件供應(yīng)吹掃氣體；

通過所述氣體注射器的第三注射零件供應(yīng)包含O₂、N₂O、O₃、H₂O和H₂O₂中的 至少一者的反應(yīng)氣體；

通過所述氣體注射器的第四注射零件供應(yīng)吹掃氣體；和

允許所述第一到第四注射零件循序地經(jīng)過所述襯底，

其中所述第二和第四注射零件提供在所述第一與第三注射零件之間，且用于供應(yīng) 所述含硅氣體的所述第一注射零件與所述第二和第四注射零件之間的距離短于用 于供應(yīng)所述反應(yīng)氣體的所述第三注射零件與所述第二和第四注射零件之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述含硅氣體、所述吹掃氣體、所述反應(yīng)氣體 以及所述吹掃氣體分別連續(xù)地供應(yīng)到所述第一到第四注射零件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一到第四注射零件循序地經(jīng)過所述襯底上 方的區(qū)域，這被重復(fù)地執(zhí)行多次。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氣體注射器相對(duì)于所述襯底安裝單元而旋轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在供應(yīng)所述過程氣體之前或之后，所述方法進(jìn)一 步包含：

通過所述氣體注射器供應(yīng)包含SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、TEOS、DCS、HCD和TSA 中的至少一者的含硅氣體；

吹掃所述含硅氣體；

通過所述氣體注射器供應(yīng)包含O₂、N₂O、O₃、H₂O和H₂O₂中的至少一者的反應(yīng) 氣體；和

吹掃所述反應(yīng)氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中將所述供應(yīng)和吹掃所述含硅氣體以及供應(yīng)和吹掃 所述反應(yīng)氣體的步驟重復(fù)地執(zhí)行多次。