[發明專利]一種芯片的恒溫控制方法及其過溫保護電路無效
| 申請號: | 200710090145.5 | 申請日: | 2007-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN101290525A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發明(設計)人: | 應建華;陳嘉 | 申請(專利權)人: | 應建華;陳嘉;武漢昊昱微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05D23/19 | 分類號: | G05D23/19;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京捷誠信通專利事務所 | 代理人: | 魏殿紳;龐炳良 |
| 地址: | 430074湖北省武漢市洪*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 恒溫 控制 方法 及其 保護 電路 | ||
1.一種芯片的恒溫控制方法,其特征在于:該方法將芯片輸出電流產生的耗散功率通過熱阻轉化為芯片內部溫度的變化,然后再將芯片溫度變化轉化為電壓信號的變化,將電壓信號放大后,控制芯片輸出電流,從而調節芯片的耗散功率,實現芯片的恒溫控制,其中將芯片輸出電流產生的耗散功率通過熱阻轉化為芯片內部溫度的變化是通過檢溫電路(1)實現的,該檢溫電路(1)包括由第一、第二場效應管(M1、M2)構成的電流鏡和由第一、第二雙極晶體管(T1、T2)組成的自偏置電流源,其中第一、第二雙極晶體管(T1、T2)的集電極分別與第一、第二場效應管(M1、M2)的源極連接,第一、第二雙極晶體管(T1、T2)的基極互連且與第二場效應管(M2)的源極連接,第三雙極晶體管(T3)與第一雙極晶體管(T1)構成電流鏡像;該方法采用恒溫放大器對電壓信號進行放大,恒溫放大器的增益表達式為:
2.一種應用于上述芯片恒溫控制方法的過溫保護電路,其特征在于:包括一個將芯片溫度變化轉化為電壓信號的檢溫電路(1)、恒溫放大器(2)和功率到溫度的轉換模塊(3),檢溫電路的輸出VA連接到恒溫放大器的輸入,恒溫放大器的輸出VB連接功率到溫度的轉換模塊,功率到溫度的轉換模塊輸出的溫度變化信號T連接到檢溫電路的輸入端;所述檢溫電路(1)包括由第一、第二場效應管(M1、M2)構成的電流鏡和由第一、第二雙極晶體管(T1、T2)組成的自偏置電流源,其中第一、第二雙極晶體管(T1、T2)的集電極分別與第一、第二場效應管(M1、M2)的源極連接,第一、第二雙極晶體管(T1、T2)的基極互連且與第二場效應管(M2)的源極連接,第三雙極晶體管(T3)與第一雙極晶體管(T1)構成電流鏡像;所述的功率到溫度的轉換模塊為功率MOS管,其增益表達式為:
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