[發明專利]子范圍像素取樣和保持

無效

• 申請號: 200710089753.4
• 申請日: 2007-03-23
• 公開（公告）號: CN101166241A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: R·格倫;E·米利根
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H04N3/15
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;梁永

背景技術

典型的互補金屬氧化物半導體(CMOS)成像裝置中的像素將光生電荷存儲在單個保持電容器上。CMOS成像像素可存儲的電荷量還被稱為像素的“阱容量”，其與保持電容器的電容或“大小”成比例。然而，存在有使得選擇保持電容器的大小對于CMOS成像裝置的開發者來說成為困難的設計決策的競爭效應。一方面，更大的像素阱容量增加了像素的信噪比(S/N)，因為更大的電荷容量增加了像素的動態范圍，從而相對于存儲的電壓減小了散粒噪聲的大小。另一方面，更小的電容是優選的，因為更小的阱容量增強了低照度響應，同時減少了讀出誤差(如KTC噪聲等)。

附圖說明

被結合并構成該說明書一部分的附圖說明了與本發明原理相一致的一個或多個實施例，并且和描述部分一起解釋了這樣的實施例。附圖不必按比例繪制，相反，重點在于說明本發明的原理。在附圖中，

圖1說明了依照本發明的某些實施例的示范的成像系統；

圖2是說明依照本發明的某些實施例的成像像素的示意圖；

圖3是說明依照本發明的某些實施例的另一個成像像素的示意圖；

圖4是說明依照本發明的某些實施例的又一個成像像素的示意圖；

圖5是說明依照本發明的某些實施例的示范的處理過程300的流程圖；

圖6是說明依照本發明的某些實施例的另一個成像像素的示意圖；

圖7是說明依照本發明的某些實施例的另一個示范的處理過程500的流程圖；

圖8是說明依照本發明的某些實施例的另一個成像像素的示意圖。

具體實施方式

下面的詳細描述涉及附圖。相同的附圖標記可用于不同的附圖以識別相同或類似的元件。在下面的描述中，可陳述具體細節，如特定的結構、體系結構、接口、技術等，以便于提供對要求保護的發明的各個方面的全面了解。然而，所提供的這樣的細節是出于解釋目的因而不應當認為是對要求保護的發明的限制。利用本公開內容，對本領域的技術人員來說顯而易見的是，要求保護的發明的各個方面可以在脫離這些具體細節的其它實例中實現。此外，在某些例子中，對公知的器件、電路和方法的描述被省略，以便不會以不必要的細節混淆本發明的說明。

圖1說明了依照本發明的某些實施例的示范的系統100。系統100包括圖像傳感器102、聚光光學部件104、存儲器106、控制器108、一個或多個輸入/輸出(I/O)接口110(如通用同步總線(USB)接口、并行端口、串行端口、電話端口、有線或無線網絡接口和/或其它I/O接口)、圖像處理器114、以及將器件102和106-110耦合在一起用于圖像數據和/或控制數據交換的共享總線或其它通信通道112。系統100還可包括耦合至I/O接口110的無線接口的天線111(如偶極天線、窄帶彎折線天線(MLA)、寬帶MLA、倒F天線、平面倒F天線、郭柏天線、貼片天線等)。

系統100可采取適合于依照本發明某些實施例的子范圍(sub-ranging)像素取樣和保持的實施例的各種物理表現。例如，系統100可以在數字成像裝置(如數碼相機、拍照手機等)內實現。此外，系統100的各種部件可以集成配置而不是作為分立的部件來實現。例如，陣列102、和/或存儲器106、和/或控制器108和/或接口110可以在一個或多個半導體器件和/或集成電路(IC)芯片內(如芯片組、片上系統(SOC)內等)實現。另外，已經將可能與系統100相關聯但不是與要求保護的發明特別相關的各種部件(如音頻部件、與顯示有關的裝置等)排除在圖1之外，以便不會混淆本發明。

聚光光學部件104可以是能夠和/或適合于聚集光束并將該光束提供給傳感器102的聚光光學元件的任何集合。盡管本領域的技術人員將會意識到，光學部件104可包含各種光學部件和/或光學部件的布置，但是光學部件104的特性不受限于本發明并且因此將不再作進一步詳細地描述。

存儲器106可以是能夠存儲和/或保持包括顏色像素數據和/或部件值的成像數據的任何器件和/或機構，以此列舉若干實例。例如，盡管本發明不受限于這一點，但是存儲器106可以是易失性存儲器(如靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM))或非易失性存儲器(如閃存)。