[發明專利]半導體聚酰亞胺薄膜

無效

• 申請號: 200710089720.X
• 申請日: 2007-03-27
• 公開（公告）號: CN101274989A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 中村正雄;上林政博;太田義夫
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L79/08;G03G15/16;G03G15/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郇春艷;郭國清

技術領域

本發明涉及一種耐用性優異的半導體聚酰亞胺薄膜，特別是可用于以電子照相方法形成和記錄圖像的裝置中的中間傳輸帶和輸送帶。

發明背景

由于近來圖像質量、速度和緊湊性的改進，用電子照相方法的形成和記錄圖像的裝置例如復印機、激光印刷機、圖像印刷機、傳真機和多功能打印機(MFP)中的中間傳輸帶、輸送帶等與傳統條件相比，使用條件更加苛刻。特別是，由于裝置的小型化，用于中間傳輸帶和輸送帶的輥滾筒更小，因而施加在輥彎曲部分的壓力增加，并且由于速度高，施加至帶的張力增加，因而導致帶伸長和斷裂的因素增加，從而增加了對耐用性優異的無縫帶的需求。

作為用于中間傳輸帶的半導體帶，迄今為止已知的有由橡膠材料、氟基材料(偏二氟乙烯)、聚碳酸酯樹脂材料、聚酰亞胺樹脂材料、聚酰胺酰亞胺樹脂材料等制成的薄膜形成的半導體帶(例如參見文獻1-3)。

然而，這種傳統的帶具有由于近來速度、緊湊性和圖像質量的改進，在運行過程中施加在帶上的載荷增加，因而存在長期使用中的變形、轉印圖像的改變、破裂等問題。

[參考文獻1]JP-A-5-200904

[參考文獻2]JP-A-6-228335

[參考文獻3]JP-A-10-63115

發明概述

本發明的一個目的是提供一種耐用性優異的半導體聚酰亞胺薄膜，并且在該半導體聚酰亞胺薄膜用作電子照相記錄裝置中的中間傳輸帶或輸送帶的情況下，在沿著小直徑輥向該帶施加應力的狀態下，長期運轉期間在該帶上施加載荷時，該帶幾乎不或從不變形或破裂，并且沒有調色劑圖像改變和轉印擴散。

本發明的發明人已經廣泛研究以求實現上述目的，并發現使用抗疲勞性和抗彎性優異的半導體聚酰亞胺薄膜作為中間傳輸帶，顯著減小長期運轉中帶出現的變形和破裂，從而得到本發明。

本發明的半導體聚酰亞胺薄膜具有：在25℃和60％RH的表面電阻率常用對數為9至15logΩ/平方；體積電阻率的常用對數為8至15logΩ·cm；按照JIS?K7118進行疲勞試驗重復次數為10⁷時，疲勞應力為160MPa或更大；按照JIS?P8115進行MIT測試耐彎曲次數為2,000次或更多。用實施例中描述的方法測量表面電阻率、體積電阻率、疲勞應力和耐彎曲次數。

具有上述特征的半導體聚酰亞胺薄膜具有良好的剛性和性之間的平衡，并且抗疲勞性和抗彎性優異。因此，當該半導體聚酰亞胺薄膜長時間用作中間傳輸帶和輸送帶時，抑制由于帶的彎曲應力和疲勞產生的裂縫和破裂是可能的。

優選從包含至少一種以下物質的聚酰胺酸性溶液中獲得本發明的半導體聚酰亞胺薄膜：包含以下重復單元的共聚物：組分A，其中由酰亞胺鍵連接為四羧酸殘基的全芳香骨架和為二胺殘基的對亞苯基骨架；和組分B，其中由酰亞胺鍵連接為四羧酸殘基的全芳香骨架和為二胺殘基的二苯基醚骨架；和以下的共混物：包含組分A作為重復單元的聚合物；和包含組分B作為重復單元的聚合物，其中組分A和組分B的組成摩爾比率(A/B)為7/3至3/7。

本發明人發現，生產抗疲勞性和抗彎性優異的聚酰亞胺薄膜可以通過使用包含共聚物或共混物的聚酰胺酸溶液，其中共聚物或共混物包含預定比例的形成剛性骨架(組分A)的成分和形成柔性骨架(組分B)的成分。上述組成的聚酰亞胺薄膜在連續長時間用作中間傳輸帶等時具有良好的耐久性。

本發明的中間傳輸帶和輸送帶包含上述的半導體聚酰亞胺薄膜。該半導體聚酰亞胺薄膜的抗疲勞性和抗彎性優異。因此，在該半導體聚酰亞胺薄膜作為電子照相記錄裝置的中間傳輸帶或輸送帶的情況下，所述帶將發生更少的變形和破裂，并且能夠長時間內在記錄紙上轉印良好的圖像，不會引起調色劑圖像改變和轉印擴散。

根據本發明，可得到抗疲勞性和抗彎性優異的半導體聚酰亞胺薄膜。通過使用該薄膜用于通過電子照相方法形成和記錄圖像裝置中的中間傳輸系統和輸送系統，可提供高圖像質量、高速和緊湊的系統，其中用電子照相方法形成和記錄圖像的裝置例如為復印機、激光打印機、圖像印刷機、傳真機和多功能打印機(MFP)。

發明的詳細說明

在下文中，將詳細說明本發明實施例。

本發明半導體聚酰亞胺薄膜在25℃和60％RH下的表面電阻率常用對數為9至15(logΩ/平方)，并可優選為10至12(logΩ/平方)。例如，用于中間傳輸帶時，當表面電阻率低于9(logΩ/平方)時出現白斑，表面電阻率大于15(logΩ/平方)時出現轉印擴散。