[發明專利]MOSFET功率封裝無效
| 申請號： | 200710089675.8 | 申請日： | 2007-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN101064300A | 公開（公告）日： | 2007-10-31 |
| 發明（設計）人： | 李文清;駱建仁;龔德梅 | 申請（專利權）人： | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人： | 張靜潔 |
| 地址： | 百慕大哈密爾*** | 國省代碼： | 百慕大群島;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mosfet 功率 封裝 | ||
1、一種功率MOSFET封裝，其包括：
一個引線框架，所述引線框架的第一和第二模墊片相互絕緣，且所述第一模墊片與第一漏引線、所述第二模墊片與第二漏引線連接；
一個第一MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的漏接觸與所述第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與所述第二模墊片連接；
一個第二MOSFET器件，所述第二MOSFET器件的漏接觸與所述第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；和
一種密封劑，所述密封劑基本上將所述引線框架、所述第一和第二MOSFET器件、部分所述第一和第二柵引線、所述第一和第二漏引線以及所述源引線密封。
2、根據權利要求1所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝是TO-252封裝。
3、根據權利要求1所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝工作時可為同步電壓轉換器電路提供電源和同步轉接。
4、一種為同步電壓轉換器電路提供電源和同步轉接的功率MOSFET封裝，其包括：
一個引線框架，所述引線框架的第一和第二模墊片相互絕緣，且所述第一模墊片與第一漏引線、所述第二模墊片與第二漏引線連接；
一個第一MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的漏接觸與所述第一模墊片連接，柵接觸與第一柵引線連接，源接觸與所述第二模墊片連接；
一個第二MOSFET器件，所述第二MOSFET器件的漏接觸與所述第二模墊片連接，柵接觸與第二柵引線連接，源接觸與源引線連接；和
一種密封劑，所述密封劑基本上將所述引線框架、所述第一和第二MOSFET器件、部分所述第一和第二柵引線、所述第一和第二漏引線以及所述源引線密封。
5、根據權利要求4所述的功率MOSFET封裝，其特征在于，所述封裝是TO-252封裝。
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