[發明專利]用于濺射靶的PTF測量自動化的方法和裝置無效
| 申請號: | 200710089497.9 | 申請日: | 2007-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101187648A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發明(設計)人: | R·D·羅杰 | 申請(專利權)人: | 賀利氏有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/82 | 分類號: | G01N27/82;G01N27/72 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 濺射 ptf 測量 自動化 方法 裝置 | ||
1.一種用于確定濺射靶的穿過通量的裝置,包括:
(a)磁源,其產生通過所述濺射靶的磁場;
(b)磁場檢測器,其被配置成測量所述磁場;和
(c)自動化臺,其被配置成移動所述濺射靶或所述磁場檢測器或其兩者。
2.根據權利要求1所述的裝置,進一步包括與所述磁場檢測器進行數據通信的處理器,該處理器被配置成使用所述磁場檢測器在所述濺射靶上的至少一個位置的至少一個測量結果,確定所述濺射靶的穿過通量。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中所述處理器被配置成生成所述濺射靶的穿過通量圖。
4.根據權利要求2所述的裝置,其中所述處理器被配置成確定所述濺射靶的平均高斯值、所述濺射靶的高斯值范圍、所述濺射靶的最小高斯值、濺射靶的最大高斯值、或平均PTF百分比中的至少一個或它們的任意組合。
5.根據權利要求4所述的裝置,其中所述處理器被配置成生成所述濺射靶的圖,其中所述圖標識大于或小于在所述濺射靶上至少一個位置的所述平均高斯值或平均PTF百分比的所述濺射靶的預定百分比范圍。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述磁源位于所述濺射靶的下面。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中所述磁源安裝在可旋轉底座上。
8.根據權利要求1所述的裝置,其中所述自動化臺被配置成使所述濺射靶旋轉。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中所述自動化臺使所述濺射靶旋轉到至少一個預定位置,并且其中處理器與所述磁場檢測器進行數據通信,并被配置成使用所述磁場檢測器在處于所述至少一個預定位置上的所述濺射靶上至少一個位置的至少一個測量結果,確定所述濺射靶的所述穿過通量。
10.根據權利要求8所述的裝置,其中用所述自動化臺的靶臺上方至少兩個惰輪和一個驅動輪,所述自動化臺使所述濺射靶保持轉動。
11.根據權利要求1所述的裝置,其中與所述自動化臺進行數據通信的處理器被配置成移動所述濺射靶或所述磁場檢測器中的一個或其兩者。
12.一種用于確定濺射靶的穿過通量的方法,包括:
(a)在所述濺射靶的第一側產生磁場,并使所述磁場通過所述濺射靶,并穿出所述濺射靶的第二側;
(b)用磁場檢測器測量在所述濺射靶的所述第二側的所述磁場;以及
(c)在使用自動化臺的所述測量過程中,移動所述濺射靶或所述磁場檢測器中的一個或其兩者。
13.根據權利要求12所述的方法,用與所述磁場檢測器進行數據通信的處理器,使用所述磁場檢測器在所述濺射靶上的至少一個位置的至少一個測量結果,確定所述濺射靶的所述穿過通量。
14.根據權利要求13所述的方法,進一步包括使用所述處理器生成所述濺射靶的穿過通量圖。
15.根據權利要求13所述的方法,進一步包括確定所述濺射靶的平均高斯值、所述濺射靶的高斯值范圍、所述濺射靶的最小高斯值、濺射靶的最大高斯值、或平均PTF百分比中的至少一個或它們的任意組合。
16.根據權利要求15所述的方法,進一步包括使用所述處理器,生成所述濺射靶的圖,其中所述圖標識大于或小于在所述濺射靶上至少一個位置的所述平均高斯值或平均PTF百分比的所述濺射靶的預定百分比范圍。
17.根據權利要求12所述的方法,所述磁源位于所述濺射靶的下面。
18.根據權利要求12所述的方法,其中所述磁源安裝在可旋轉的底座上。
19.根據權利要求12所述的方法,其中所述自動化臺被配置成使所述濺射靶旋轉。
20.根據權利要求19所述的方法,進一步包括使用所述自動化臺,使所述濺射靶旋轉到至少一個預定位置,并且用所述處理器,使用所述磁場檢測器在處于所述至少一個預定位置上的所述濺射靶上至少一個位置的至少一個測量結果,確定所述濺射靶的所述穿過通量。
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