[發明專利]多孔結構的材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200710089414.6
• 申請日: 2007-03-22
• 公開（公告）號: CN101270189A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 張育誠;鄭景亮;林琨程;魏得育;呂世源
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C08G77/50
• 分類號: C08G77/50;C01B33/14;C08J9/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃健

1.?一種多孔結構的材料，其由烷氧化硅類或硅酸鹽類化合物與有機溶劑以溶膠凝膠法合成，并經改質劑改質而制得；其中所述改質劑包含三甲基氯硅烷/正己烷混合物或二甲基氯硅烷/正己烷混合物；該多孔性結構的材料的平均熱傳導系數為0.04W/m-K至0.02W/m-K。

2.?如權利要求1所述的多孔結構材料，其表面含有疏水官能基。

3.?如權利要求1所述的多孔結構材料，其中所述烷氧化硅類化合物或硅酸鹽類化合物與有機溶劑的重量混合比例為1∶6～1∶10。

4.?如權利要求1所述的多孔結構材料，其中所述多孔結構的材料的體密度大于0.069g/cm³。

5.?如權利要求1所述的多孔結構材料，其中所述多孔結構的材料的孔隙率大于95％。

6.?一種多孔結構材料的制造方法，包含：

(a)混合烷氧化硅類或硅酸鹽類化合物及有機溶劑；

(b)加入酸觸媒進行水解反應；

(c)加入堿觸媒進行縮合反應，形成溶膠；

(d)以溶劑清洗所述的溶膠；

(e)以有機溶劑進行所述溶膠中的溶劑交換；

(f)加入改質劑進行所述溶膠表面的改質，其中所述改質劑包含三甲基氯硅烷/正己烷混合物或二甲基氯硅烷/正己烷混合物；

(g)移除所述溶膠中的改質劑；及

(h)干燥所述步驟(g)的溶膠，以制成多孔結構材料。

7.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(a)的烷氧化硅類化合物包含四乙氧基硅烷或四甲基硅烷。

8.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(a)的有機溶劑包含無水乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇、甲酰胺或乙二醇。

9.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(a)的烷氧化硅類化合物或硅酸鹽類化合物與有機溶劑的混合比例為1∶6～1∶10。

10.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(b)的酸觸媒包含鹽酸、硝酸或草酸。

11.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(c)的堿觸媒包含氫氧化銨。

12.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(d)的溶劑包含乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇、甲酰胺或乙二醇。

13.?如權利要求6所述的方法，其中所述步驟(e)的有機溶劑包含正己烷或庚烷。

14.?一種應用性的材料，包含權利要求1所述的多孔結構的材料，其作為涂料、填充材料、熱絕緣材料之用。

15.?如權利要求14所述的材料，其體密度大于0.069g/cm³。

16.?如權利要求14所述的材料，其孔隙率大于95％。

17.?如權利要求14所述的材料，其平均熱傳導系數為0.04W/m-K至0.02W/m-K。