[發明專利]形成異質結雙極晶體管的方法及相關結構

有效

• 申請號: 200710089329.X
• 申請日: 2007-03-23
• 公開（公告）號: CN101087000A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 托馬斯·A.·沃爾納;托馬斯·N.·亞當;斯蒂芬·W.·貝戴爾;喬爾·P.·德索扎;凱斯萊恩·T.·舍恩伯格
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/737;H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦晨

1.一種使用多孔硅形成隔離區的結構，包括：

晶體硅本征基極，其延伸超出收集極區并在隔離區上方延伸。

2.根據權利要求1的結構，其中該隔離區包括多孔硅電介質。

3.根據權利要求1的結構，其中該隔離區包括氧化硅。

4.根據權利要求1的結構，其中該隔離區包括多孔硅。

5.一種使用多孔硅形成隔離區的方法，包括：

形成收集極區；

在收集極區內形成多孔硅區；

在收集極區上面形成晶體硅本征基極層，該本征基極層在多孔硅區的一部分上延伸以形成非本征基極；和

隨后在多孔硅區內形成隔離區。

6.根據權利要求5的方法，其中多孔硅區的形成包括在一個區域中注入p型摻雜劑，以改變該多孔硅區。

7.根據權利要求6的方法，其中該多孔硅區的形成包括刻蝕該區域以形成多孔硅區。

8.根據權利要求7的方法，進一步包括在氫氣環境中退火，從而在該多孔硅區的表面上形成單晶硅的膚層。

9.根據權利要求6的方法，其中該多孔硅區的形成進一步包括跨越收集極區及該區域生長輕摻雜的p型硅層，并刻蝕該區域以形成多孔硅區。

10.根據權利要求9的方法，進一步包括退火。

11.根據權利要求9的方法，其中硅層的厚度為50-300埃。

12.根據權利要求5的方法，其中隔離區的形成包括氧化該多孔硅區以形成多孔硅電介質。

13.根據權利要求5的方法，其中隔離區的形成包括除去該多孔硅區，并用電介質填充。

14.根據權利要求5的方法，其中隔離區的形成包括使用多孔硅區作為電介質。

15.一種形成異質結雙極晶體管(HBT)的方法，該方法包括：

形成收集極區；

在收集極區內形成多孔硅區；

在收集極區之上形成晶體硅本征基極層，該本征基極層在多孔硅區的一部分上延伸以形成非本征基極；

在多孔硅區內形成隔離區；和

形成非本征基極層和發射極以完成該HBT。

16.根據權利要求15的方法，其中多孔硅區的形成包括在一個區域內注入p型摻雜劑，以改變該多孔硅區。

17.根據權利要求16的方法，其中多孔硅區的形成進一步包括：

刻蝕該區域以形成多孔硅區；和

在氫氣環境中退火，以在多孔硅區的表面上形成單晶硅的膚層。

18.根據權利要求16的方法，其中多孔硅區的形成進一步包括跨越收集極區和該區域生長硅層，并刻蝕該區域以形成多孔硅區。

19.根據權利要求18的方法，其中硅層的厚度為50-300埃。

20.根據權利要求15的方法，其中隔離區的形成包括如下之一：

a)氧化多孔硅區以形成多孔硅電介質；

b)除去多孔硅區并用電介質填充；和

c)使用多孔硅區作為電介質。