[發(fā)明專(zhuān)利]太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片及制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710088594.6 | 申請(qǐng)日： | 2007-03-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101211992A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴?yán)?/a>;黃堃芳;謝文昇;賴?yán)麥?/a> | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 海德威電子工業(yè)股份有限公司;禧通科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/12;H01L31/18;F21S9/03;F21L4/08 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 謝麗娜;陳肖梅 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽(yáng)能 元件 發(fā)光 構(gòu)成 芯片 制作方法 | ||
1.一種太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，包含：
一基板；
一太陽(yáng)能元件，其設(shè)于該基板上；及
一發(fā)光元件，其設(shè)于該基板上，并與該太陽(yáng)能元件相隔一距離。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該基板的材質(zhì)為砷化鎵或氮化鎵。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該太陽(yáng)能元件為一單接面太陽(yáng)能電池或一多接面太陽(yáng)能電池。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該發(fā)光元件為一激光二極管。
5.如權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該激光二極管為一側(cè)面發(fā)光激光二極管或一垂直面射型激光二極管。
6.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該發(fā)光元件為一發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該發(fā)光二極管為一紅光發(fā)光二極管或一藍(lán)光發(fā)光二極管或一綠光發(fā)光二極管或一白光發(fā)光二極管。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，其中該發(fā)光元件構(gòu)成的結(jié)構(gòu)為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或量子井結(jié)構(gòu)。
9.一種太陽(yáng)能照明器，應(yīng)用如權(quán)利要求1所述的具有太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片，包含：
具有該太陽(yáng)能元件與該發(fā)光元件構(gòu)成的該單芯片型光芯片；及
一可充電電池，其電性連接于該太陽(yáng)能元件與該發(fā)光元件，其中，該可充電電池由該太陽(yáng)能元件充電，且該可充電電池供給該發(fā)光元件電能。
10.一種太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其步驟包含：
一初始步驟，提供一基板；
一第一覆蓋步驟，覆蓋一第一絕緣層于該基板上并形成一第一暴露區(qū)域；
一第一元件制作步驟，以一磊晶方法與一顯影蝕刻方法于該第一暴露區(qū)域制作一第一元件；
一第一蝕刻步驟，回蝕該第一絕緣層；
一第二覆蓋步驟，覆蓋一第二絕緣層于該基板上與該第一元件的表面，并于該基板上形成一第二暴露區(qū)域；
一第二元件制作步驟，以該磊晶方法與該顯影蝕刻方法于該第二暴露區(qū)域制作一第二元件；及
一第二蝕刻步驟，回蝕該第二絕緣層，其中，該第一元件為該太陽(yáng)能元件或該發(fā)光元件，且該第二元件為對(duì)應(yīng)的該發(fā)光元件或該太陽(yáng)能元件。
11.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該基板的材質(zhì)為砷化鎵或氮化鎵。
12.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
13.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該第二絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
14.一種太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其步驟包含：
提供一基板；
覆蓋一第一絕緣層于該基板上并形成一第一暴露區(qū)域；
以一磊晶方法與一顯影蝕刻方法于該第一暴露區(qū)域制作一發(fā)光元件；
回蝕該第一絕緣層；
覆蓋一第二絕緣層于該基板上與該發(fā)光元件構(gòu)成的表面，并于該基板上形成一第二暴露區(qū)域；
以該磊晶方法與該顯影蝕刻方法于該第二暴露區(qū)域制作一太陽(yáng)能元件；及
回蝕該第二絕緣層。
15.如權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該基板的材質(zhì)為砷化鎵或氮化鎵。
16.如權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
17.如權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能元件與發(fā)光元件構(gòu)成的單芯片型光芯片的制作方法，其中該第二絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
