[發明專利]耐高電壓的功率放大器電路及其使用方法無效
| 申請號: | 200710088272.1 | 申請日: | 2007-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN101272130A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發明(設計)人: | 鐘建川;朱竹有;孫有民 | 申請(專利權)人: | 臺灣類比科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孟銳;臧慧敏 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 功率放大器 電路 及其 使用方法 | ||
1.?一種耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于包含:
第一功率放大器,其包含漏極、源極和柵極,所述第一功率放大器具有第一耐壓和第一內電阻;
第二功率放大器,其包含漏極、源極和柵極,所述第二功率放大器具有第二耐壓和第二內電阻,且所述第二功率放大器的漏極連接到所述第一功率放大器的漏極;
和
啟動電路,其包含比較器,所述比較器的比較電壓對應于所述第一耐壓,所述比較器的輸入端電連接到所述第一功率放大器的漏極,且所述啟動電路的輸出端電連接到所述第一功率放大器的柵極;
其中所述第一功率放大器和所述第二功率放大器是不同的工藝元件,所述第一耐壓小于所述第二耐壓,所述第一內電阻小于所述第二內電阻,且所述第一功率放大器的導通時間晚于所述第二功率放大器。
2.?根據權利要求1所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于所述第一功率放大器是采用雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)工藝。
3.?根據權利要求1所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于所述第二功率放大器是采用橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)工藝。
4.?根據權利要求1所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于所述啟動電路進一步包含延遲電路,所述延遲電路連接到所述第二功率放大器的柵極。
5.?根據權利要求4所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于所述啟動電路進一步包含與門,所述與門的一個輸入端連接到所述比較器的輸出端,所述與門的輸出端連接到所述第一功率放大器的柵極。
6.?根據權利要求5所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于進一步包含啟動信號,所述啟動信號連接到所述與門的另一輸入端和所述延遲電路。
7.?一種耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于包含:
第一功率放大器,其包含漏極、源極和柵極,所述第一功率放大器具有第一耐壓和第一內電阻;
第二功率放大器,其包含漏極、源極和柵極,所述第二功率放大器具有第二耐壓和第二內電阻,且所述第二功率放大器的漏極連接到所述第一功率放大器的漏極,其中所述第一耐壓小于所述第二耐壓,且所述第一內電阻小于所述第二內電阻;和啟動電路,其輸入端連接到所述第一功率放大器的漏極,所述啟動電路的輸出端先啟動所述第二功率放大器,當判定所述第一功率放大器的漏極電壓小于所述第一耐壓時,再啟動所述第一功率放大器。
8.?根據權利要求7所述的耐高電壓的功率放大器電路,其特征在于所述啟動電路進一步包含延遲電路,所述延遲電路連接到所述第二功率放大器的柵極。
9.?一種耐高電壓的功率放大器的使用方法,其特征在于包含以下步驟:
提供第一功率放大器和第二功率放大器,所述第一功率放大器和第二功率放大器的漏極彼此耦合,其中所述第一功率放大器的內電阻小于所述第二功率放大器的內電阻,且所述第一功率放大器的耐壓小于所述第二功率放大器的耐壓;
啟動所述第二功率放大器,用以逐步降低所述第二功率放大器的漏極電壓;
比較所述第一功率放大器的漏極電壓與所述第一功率放大器的耐壓;和
如果所述第一功率放大器的漏極電壓小于所述第一功率放大器的耐壓,那么啟動所述第一功率放大器。
10.?根據權利要求9所述的耐高電壓的功率放大器的使用方法,其特征在于進一步包含以下步驟:
先關閉所述第一功率放大器;和
延遲一段時間后,再關閉所述第二功率放大器。
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