[發(fā)明專利]自行對準(zhǔn)接觸窗及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710087785.0
• 申請日: 2007-03-19
• 公開（公告）號: CN101271860A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊建倫
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，包括

提供基底，該基底上具有接觸區(qū)；

在該基底上形成第一介電層；

在該第一介電層中形成下部開口，其與該接觸區(qū)相對應(yīng)；

在該第一介電層上形成第二介電層；

在該第二介電層中形成上部開口，其自行對準(zhǔn)該下部開口并與其連通構(gòu)成自行對準(zhǔn)接觸窗開口；以及

于該自行對準(zhǔn)接觸窗開口中形成導(dǎo)電層。

2.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟中，所形成的該下部開口裸露出該接觸區(qū)上的部分該第二介電層，且在進行形成該上部開口的步驟之后，還包括使該下部開口裸露出該接觸區(qū)。

3.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第一介電層的材質(zhì)與該第二介電層的材質(zhì)不相同。

4.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第一介電層包括應(yīng)力層。

5.?如權(quán)利要求4所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該應(yīng)力層的材質(zhì)包括氮化硅。

6.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該下部開口與該上部開口的尺寸不同。

7.?如權(quán)利要求6所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該下部開口的尺寸小于該上部開口的尺寸。

8.?如權(quán)利要求6所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟以及在該第二介電層中形成該上部開口的步驟采用兩個不同的掩模來進行曝光工藝。

9.?如權(quán)利要求6所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中在該第一介電層中形成該下部開口的步驟以及在該第二介電層中形成該上部開口的步驟采用同一個掩模來進行曝光工藝并調(diào)整工藝參數(shù)以曝出兩種尺寸不同的圖案。

10.?如權(quán)利要求9所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該工藝參數(shù)包括曝光能量。

11.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中形成該下部開口的方法包括：

在該第一介電層上形成底層抗反射層；

在該底層抗反射層上形成圖案化光刻膠層；

以該圖案化光刻膠層為罩幕，蝕刻該第一介電層，以形成該下部開口；以及

移除該圖案化光刻膠層并選擇性移除該底層抗反射層。

12.?如權(quán)利要求11所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中當(dāng)該底層抗反射層的材質(zhì)為有機材料時，則在移除該圖案化光刻膠層時同時移除該底層抗反射層。

13.?如權(quán)利要求11所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中當(dāng)該底層抗反射層的材質(zhì)為無機材料時，則在移除該圖案化光刻膠層時，并不移除該底層抗反射層。

14.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該第二介電層的材質(zhì)選自于常壓化學(xué)氣相沉積的氧化硅、高密度等離子體氣相沉積的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃與氟摻雜玻璃及其組合所組成的族群。

15.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中形成該上部開口的方法包括：

在該第二介電層上形成底層抗反射層；

在該底層抗反射層上形成圖案化光刻膠層；

以該圖案化光刻膠層為罩幕，蝕刻該第二介電層，以形成該上部開口；以及

移除該圖案化光刻膠層并選擇性移除該底層抗反射層。

16.?如權(quán)利要求15所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中當(dāng)該底層抗反射層的材質(zhì)為有機材料時，則在移除該圖案化光刻膠層時同時移除該底層抗反射層。

17.?如權(quán)利要求15所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中當(dāng)該底層抗反射層的材質(zhì)為無機材料時，則在移除該圖案化光刻膠層時，并不移除該底層抗反射層。

18.?如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該接觸區(qū)為源極/漏極區(qū)。

19.?如權(quán)利要求18所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該源極/漏極區(qū)的主要材質(zhì)為半導(dǎo)體化合物。

20.?如權(quán)利要求18所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該半導(dǎo)體化合物為硅化鍺或是碳化硅。