[發明專利]可選擇電性的有機半導體主動層及其運用

有效

• 申請號: 200710087665.0
• 申請日: 2007-03-13
• 公開（公告）號: CN101267018A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 郭宗枋;蔡仁杰;陳石育;溫添進
• 申請（專利權）人: 奇美電子股份有限公司;財團法人成大研究發展基金會
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 左一平

1.一種可選擇電性的有機半導體主動層，其特征在于，包括：

一電性選擇層，由一五環素層與一聚乙烯醇層所堆疊而成；以及

一柵介電層，形成于所述聚乙烯醇層上，且相對于五環素層的另一側。

2.如權利要求1所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述五環素層與所述聚乙烯醇層相互接觸。

3.如權利要求1所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述柵介電層是選自于由一聚合物、一半導體氧化物、一半導體氮化物、以及上述任意組合所組成的一族群。

4.如權利要求3所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述聚合物是選自于由聚4-乙烯基酚、環氧基丙烯酸甲酯以及上述任意組合所組成的一族群。

5.如權利要求4所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述的有機半導體包括N型有機晶體管，該N型有機晶體管具有介于10V至20V的一飽合漏極電壓。

6.如權利要求4所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述的有機半導體包括N型有機晶體管，該N型有機晶體管具有介于10-9至10^-7安培的漏電流。

7.如權利要求4所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述的有機半導體包括N型有機晶體管，該N型有機晶體管具有介于15V至40V的臨界電壓。

8.如權利要求3所述的有機半導體主動層，其特征在于，還包括多數個無機納米顆粒摻雜于所述聚乙烯醇層。

9.如權利要求3所述的有機半導體主動層，其特征在于，所述半導體氧化物為二氧化硅(SiO₂)。

10.一種N型有機晶體管，其特征在于，包括：

一柵極，位于一基板上；

一柵介電層，位于所述柵極之上，其中所述柵介電層是由一聚4-乙烯基酚層構成；

一電性選擇層，位于所述柵介電層上，由一聚乙烯醇層與一五環素層依序堆疊而成；以及

一源極/漏極，位于所述電性選擇層上。

11.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述五環素層與所述聚乙烯醇層是相互接觸。

12.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述柵極是一氧化銦錫層。

13.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述柵極是以金(Au)金屬層構成。

14.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述源極/漏極是一鋁(Al)金屬層。

15.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，還包括一柵極修飾層，位于所述柵極與所述聚4-乙烯基酚層之間。

16.如權利要求15所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述柵極修飾層是選自于由一聚合物、一半導體氧化物、一半導體氮化物、以及上述任意組合所組成的一族群。

17.如權利要求16所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述聚合物是選自于由聚4-乙烯基酚、環氧基丙烯酸甲酯以及上述任意組合所組成的一族群。

18.如權利要求16所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述基板與所述柵極為硅基材。

19.如權利要求18所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述基板可作為所述柵極。

20.如權利要求18所述的N型有機晶體管，其特征在于，所述半導體氧化物為二氧化硅(SiO₂)。

21.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，具有介于10V至20V的一飽合漏極電壓。

22.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，實質介于10-9至10-7安培的遺漏電流。

23.如權利要求10所述的N型有機晶體管，其特征在于，具有實質介于15V至40V的臨界電壓。

24.如權利要求10所述的N型有機晶體管，特征在于，還包括多數個無機納米顆粒摻雜于所述聚乙烯醇層。?