[發(fā)明專利]氧化錫銦靶,其制備方法和用其制備的透明電極有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710087153.4 | 申請日： | 2007-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN101231431A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄭俊熙;崔畯皓;李相徹;姜信赫 | 申請（專利權）人： | 三星康寧株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;C23C14/08;C03C17/23 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 錫銦靶 制備 方法 透明 電極 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備氧化錫銦(ITO)靶的方法，所述方法包括：
通過將氧化銦粉末、氧化錫粉末和含鈣化合物粉末混合制備淤漿；
通過研磨和干燥所述淤漿，將所述淤漿粒化以制備粒化粉末；
使所述粒化粉末成形以形成成形體；和
將所述成形體燒結。
2.權利要求1所述的方法，其中所述含鈣化合物是選自氧化鈣和碳酸鈣中的至少一種。
3.權利要求1所述的方法，其中所述含鈣化合物粉末的平均直徑對應約0.1μm至約2μm。
4.權利要求1所述的方法，其中加入所述含鈣化合物粉末使得鈣的比率相對銦原子可以對應約0.001原子％至約10原子％。
5.權利要求1所述的方法，其中所述氧化銦粉末的平均直徑對應約0.1μm至約1μm，并且所述氧化錫粉末的平均直徑對應約1μm至約5μm。
6.權利要求5所述的方法，其中所述氧化銦粉末和所述氧化錫粉末的質量比對應約90∶10至約91∶9。
7.權利要求1所述的方法，其中在氧氣氛和空氣氣氛下，在對應約1400℃至約1600℃的溫度進行所述燒結。
8.一種ITO靶，所述ITO靶包含相對銦原子約0.001原子％至約10原子％的鈣。
9.權利要求8所述的ITO靶，其中所述ITO靶的相對密度大于或等于99％。
10.一種顯示器用ITO透明電極，所述ITO透明電極由包含相對銦原子約0.001原子％至約10原子％的鈣的ITO靶制備。
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