[發明專利]具有增加的溝道面積的半導體器件及其制造方法無效
| 申請號： | 200710086976.5 | 申請日： | 2007-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN101047206A | 公開（公告）日： | 2007-10-03 |
| 發明（設計）人： | 趙俊熙 | 申請（專利權）人： | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 楊生平;楊紅梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 增加 溝道 面積 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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