[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 200710086297.8
• 申請日: 2007-03-13
• 公開（公告）號: CN101110447A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 黃坤銘;周學良;朱翁駒;吳成堡
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/04
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種半導體結構，包括：

襯底；

第一高壓阱區，具有第一導電類型，位于上述襯底的上方；

第二高壓阱區，具有與上述第一導電類型相反的第二導電類型，位于上述襯底的上方并側向相鄰于上述第一高壓阱區；

第三高壓阱區，具有上述第二導電類型，位于上述第二高壓阱區的下方，其中位于上述第一高壓阱區下方的區域大體上遠離上述第三高壓阱區，且上述第三高壓阱區的底部大體上低于上述第一高壓阱區的底部；

絕緣區，位于上述第一高壓阱區的一部分，并從上述第一高壓阱區的頂層延伸至上述第一高壓阱區內；

柵極介電質，從上述第一高壓阱區的上方延伸至上述第二高壓阱區的上方，其中一部分的上述柵極介電質位于上述絕緣區的上方；以及

柵極電極，位于上述柵極介電質的上方。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中上述第三高壓阱區的邊緣大體上對齊上述第二高壓阱區的邊緣。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中上述第三高壓阱區的底部低于上述第一高壓阱區的底部，并且大約相差10nm以上，而上述第三高壓阱區部分重疊于上述第一高壓阱區，并且重疊區域的寬度大約少于1μm。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中上述第三高壓阱區的雜質濃度大體上相同于上述第二高壓阱區的雜質濃度，而上述第三高壓阱區的雜質濃度高于上述襯底的雜質濃度，并且大約相差10的一次方以上。

5.如權利要求1所述的半導體結構，還包括具有上述第一導電類型的第四高壓阱區，位于上述第一高壓阱區中相對于上述第二高壓阱區的另一側，其中上述第四高壓阱區與上述第一高壓阱區具有相同的厚度，并且位于上述第四高壓阱區下方的區域大體上遠離上述第三高壓阱區，以及上述柵極介電質延伸越過上述第四高壓阱區。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中上述第一高壓阱區以及上述第三高壓阱區與上述襯底物理性接觸。

7.如權利要求1所述的半導體結構，還包括：

第四高壓阱區，具有上述第二導電類型，位于上述襯底的上方并側向相鄰于上述第一高壓阱區，其中上述第四高壓阱區位于上述第一高壓阱區中相對于上述第二高壓阱區的另一側，而位于上述第四高壓阱區上方的區域大體上遠離上述柵極介電質；以及

第五高壓阱區，具有上述第二導電類型，位于上述第四高壓阱區的下方，其中位于上述第一高壓阱區下方的區域大體上遠離上述第五高壓阱區，而上述第五高壓阱區的底部大體上低于上述第一高壓阱區的底部。

8.如權利要求1所述的半導體結構，還包括：

第一源/漏極區，位于上述第一高壓阱區并相鄰于上述絕緣區；以及

第二源/漏極區，位于上述第二高壓阱區并相鄰于上述柵極介電質。

9.一種半導體結構，包括：

半導體襯底；

第一高壓阱區，具有第一導電類型，直接位于上述半導體襯底的上方；

第二高壓阱區，具有與上述第一導電類型相反的第二導電類型，直接位于上述半導體襯底的上方并側向相鄰于上述第一高壓阱區，其中上述第一高壓阱區的第一厚度大體上少于上述第二高壓阱區的第二厚度；

絕緣區，位于上述第一高壓阱區并遠離介于上述第一高壓阱區與上述第二高壓阱區之間的界面；

柵極介電質，從上述絕緣區的上方延伸至上述第二高壓阱區的上方；以及

柵極電極，位于上述柵極介電質的上方。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其中上述第二厚度大于上述第一厚度，并且大約相差十個百分比以上。

11.如權利要求9所述的半導體結構，還包括第三高壓阱區，具有第二導電類型，鄰接且位于上述第一高壓阱區中相對于上述第二高壓阱區的另一側，其中上述第三高壓阱區具有上述第二厚度，以及上述第二高壓阱區與上述第三高壓阱區為包圍上述第一高壓阱區的連續高壓阱區的部分。