[發明專利]發光二極管封裝結構及其制作方法

無效

• 申請號: 200710085667.6
• 申請日: 2007-03-06
• 公開（公告）號: CN101106169A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 戴明吉;劉君愷;余致廣
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/00;H01L23/38;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種發光二極管封裝結構，包括：

第一基板，具有第一表面及與其相對應的第二表面；

一或多個發光二極管芯片，適于發射出光線，配置于該第一基板的該第一表面，且與該第一基板電連接；

第二基板，位于該第一基板的下方，該第二基板具有第三表面及與其相對應的第四表面，該第三表面面對該第二表面；以及

熱電致冷元件，配置于該第一基板的該第二表面與該第二基板的該第三表面之間，以傳導該發光二極管芯片運作時產生的熱能。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該第一基板為硅基板。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該第一基板的該第一表面上具有凹槽，該發光二極管芯片配置于該凹槽中。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，還包括反射膜，該反射膜配置于該凹槽的側壁與底部。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，還包括擴散板，其中該擴散板配置于該第一基板的該第一表面上，且位于該發光二極管芯片的上方。

6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構，其中該擴散板的材料為聚甲基丙烯酸甲酯。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，還包括第一絕緣層，該第一絕緣層位于該第一基板的該第一表面上，且暴露出該發光二極管芯片。

8.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該發光二極管芯片透過打線接合技術或倒裝芯片接合技術與該第一基板電連接。

9.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，還包括封裝膠體，該封裝膠體位于該第一基板的該第一表面上，且覆蓋該發光二極管芯片。

10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構，其中該封裝膠體的材料為環氧樹脂或硅膠。

11.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該第二基板為硅基板。

12.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該發光二極管芯片與該熱電致冷元件電連接，以構成串聯電路或是并聯電路。

13.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構，還包括至少有源元件，其中該有源元件與該串聯電路或該并聯電路電連接。

14.如權利要求13所述的發光二極管封裝結構，其中該有源元件包括齊納二極管、晶體管、互補式金屬氧化半導體元件其中之一或其組合。

15.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構，還包括至少無源元件，其中該無源元件與該串聯電路或該并聯電路電連接。

16.如權利要求15所述的發光二極管封裝結構，其中該無源元件包括電阻、電感、電容其中之一或其組合。

17.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該熱電致冷元件包括：

第一圖案化電極層，包括多個第一電極，該些第一電極配置于該第一基板的該第二表面上；

第二圖案化電極層，包括多個第二電極，該些第二電極配置于該第二基板的該第三表面上；

多個N型半導體材料；以及

多個P型半導體材料，其中該些N型半導體材料與該些P型半導體材料以交錯排列的方式配置于該些第一電極與該些第二電極之間，且與該些第一電極與該些第二電極電連接，以形成電流回路。

18.如權利要求17所述的發光二極管封裝結構，其中該熱電致冷元件還包括多個焊料，各該焊料配置于該N型半導體材料與該第一電極之間、該N型半導體材料與該第二電極之間、該P型半導體材料與該第一電極之間，以及該P型半導體材料與該第二電極之間。

19.如權利要求17所述的發光二極管封裝結構，還包括第二絕緣層，該第二絕緣層位于該第一基板的該第二表面上，且暴露出該些第一電極。

20.如權利要求17所述的發光二極管封裝結構，還包括第三絕緣層，該第三絕緣層位于該第二基板的該第三表面上，且暴露出該些第二電極。

21.如權利要求17所述的發光二極管封裝結構，其中各該N型半導體材料與各該P型半導體材料的一端埋入該第一基板內。