[發(fā)明專利]避免氣泡缺陷的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝及淺溝底部表面的處理

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710085616.3
• 申請日: 2007-03-01
• 公開（公告）號: CN101256976A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳欣昌
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種避免產(chǎn)生氣泡缺陷的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，包括：

提供半導(dǎo)體基底，其上形成有墊氧化層以及墊氮化層；

形成光致抗蝕劑層于該墊氮化層上，及進行光刻工藝以將該光致抗蝕劑層圖案化而部分曝露出該墊氮化層；

蝕刻該曝露的墊氮化層及其下方的墊氧化層，形成開口；

經(jīng)由該開口蝕刻該半導(dǎo)體基底，形成淺溝；

移除該光致抗蝕劑層，而于該淺溝的底部表面留有含碳或氧的物質(zhì)；

移除該淺溝的底部表面所留有的該含碳或氧的物質(zhì)；

于該淺溝的表面上形成氧化物襯墊層；

于該氧化物襯墊層上形成氮化硅襯墊層；以及

進行化學(xué)氣相沉積工藝，在該淺溝內(nèi)沉積并填滿介電層。

2.?如權(quán)利要求1所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中移除該淺溝的底部表面所留有的該含碳或氧的物質(zhì)的步驟是藉由使用惰性氣體對該淺溝的底部表面轟擊以移除表層而進行。

3.?如權(quán)利要求2所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中該惰性氣體是擇自氬與氦所組成的組群。

4.?如權(quán)利要求2所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中該移除的表層具有數(shù)至100的厚度。

5.?如權(quán)利要求2所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中對該淺溝的底部表面轟擊是使用等離子體濺射的方式進行。

6.?如權(quán)利要求1所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中該半導(dǎo)體基底包括硅。

7.?如權(quán)利要求1所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中移除該淺溝的底部表面所留有的該含碳或氧的物質(zhì)的步驟是藉由將該淺溝的底部加熱以釋出該含碳或氧的物質(zhì)而進行。

8.?如權(quán)利要求7所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱是使用射頻加熱的方式進行。

9.?如權(quán)利要求7所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中蝕刻該墊氮化層、墊氧化層、及該半導(dǎo)體基底、移除該光致抗蝕劑層、及將該淺溝的底部加熱是在同一反應(yīng)室中原位進行。

10.?如權(quán)利要求7所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱與蝕刻該半導(dǎo)體基底是在不相同的反應(yīng)室中進行。

11.?如權(quán)利要求7所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱與形成該氧化物襯墊層、形成該氮化硅襯墊層、以及在該淺溝內(nèi)沉積并填滿該介電層是在同一反應(yīng)室中進行。

12.?一種避免產(chǎn)生氣泡缺陷的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，包括：

提供半導(dǎo)體基底，其上形成有墊氧化層以及墊氮化層；

形成光致抗蝕劑層于該墊氮化層上，及進行光刻工藝以將該光致抗蝕劑層圖案化而部分曝露出該墊氮化層；

蝕刻該曝露的墊氮化層及其下方的墊氧化層，形成開口；

經(jīng)由該開口蝕刻該半導(dǎo)體基底，形成淺溝；

移除該光致抗蝕劑層，而于該淺溝的底部表面留有含碳或氧的物質(zhì)；

于該淺溝的表面上形成氧化物襯墊層；

于該氧化物襯墊層上形成氮化硅襯墊層；

在形成該氮化硅襯墊層之后，藉由將該淺溝的底部加熱以移除該含碳或氧的物質(zhì)；以及

在將該淺溝的底部加熱以移除該含碳或氧的物質(zhì)之后，進行化學(xué)氣相沉積工藝，以在該淺溝內(nèi)沉積并填滿介電層。

13.?如權(quán)利要求12所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中該半導(dǎo)體基底為硅基底，而該淺溝底部為非晶形硅。

14.?如權(quán)利要求12所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱是使用射頻加熱的方式進行。

15.?如權(quán)利要求12所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱是在進行該化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)室中原位進行。

16.?如權(quán)利要求15所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中在將該淺溝的底部加熱時，該反應(yīng)室中含有擇自氧氣、氦氣、氬氣與氫氣所組成組群的氣體。

17.?如權(quán)利要求12所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱是在形成該氮化硅襯墊層的反應(yīng)室中原位進行。

18.?如權(quán)利要求12所述的淺溝絕緣結(jié)構(gòu)工藝，其中將該淺溝的底部加熱是在與進行該化學(xué)氣相沉積工藝及形成該氮化硅襯墊層的不同的反應(yīng)室中進行。