[發(fā)明專利]微型電子元件及其封裝結(jié)構(gòu)和制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710085539.1
• 申請(qǐng)日: 2007-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN101261963A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡聰明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 誠佑科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L23/31;H01L21/00;H01L21/56;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;H03H9/02;H03H3/00
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.?一種具有密封中空穴的微型電子元件，包含：

基板，至少具有一個(gè)微結(jié)構(gòu)；

保護(hù)層，特性均勻，形成于該微結(jié)構(gòu)的上方，且該保護(hù)層以整體熔化的方式，在該微結(jié)構(gòu)的外圍與該基板黏結(jié)；以及

密封中空穴，形成于該微結(jié)構(gòu)與該保護(hù)層之間，至少包含一部分該微結(jié)構(gòu)。

2.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，其中該基板由密封材料構(gòu)成，該密封材料選自于氧化鋁、玻璃、石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰以及硅的群組。

3.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，其中該微結(jié)構(gòu)選自于微電子電路、微振動(dòng)結(jié)構(gòu)、微機(jī)電結(jié)構(gòu)、以及微放電結(jié)構(gòu)的群組。

4.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，其中該保護(hù)層系電絕緣，且其成份包含玻璃。

5.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，其中該保護(hù)層至少一部分經(jīng)由至少一個(gè)中間層，間接與該基板黏結(jié)。

6.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，其中該密封中空穴包含氣體，該氣體的壓力小于1個(gè)大氣壓。

7.?如權(quán)利要求6所述的微型電子元件，其中該氣體選自于氮?dú)狻鍤狻⒛蕷狻⒑庖约皻錃獾娜航M的至少其中之一。

8.?如權(quán)利要求1所述的微型電子元件，該微型電子元件是以芯片級(jí)封裝。

9.?如權(quán)利要求8所述的微型電子元件，其中該基板至少有一個(gè)側(cè)面為電絕緣。

10.?如權(quán)利要求8所述的微型電子元件，進(jìn)一步包含至少一個(gè)末端墊，配置在該基板上，且電連接該微結(jié)構(gòu)至該基板的邊緣。

11.?如權(quán)利要求8所述的微型電子元件，進(jìn)一步包含至少一端電極，選擇性地形成于該保護(hù)層與該基板的外表，且在該基板的邊緣與該微結(jié)構(gòu)電連接。

12.?一種微型電子元件的封裝結(jié)構(gòu)，包含：

基板，至少具有一個(gè)微結(jié)構(gòu)；

保護(hù)層，特性均勻，形成于該微結(jié)構(gòu)的上方，且該保護(hù)層以整體同時(shí)固化的方式，在該微結(jié)構(gòu)的外圍與該基板黏結(jié)；

中空穴，形成在該微結(jié)構(gòu)與該保護(hù)層之間，至少包含一部分該微結(jié)構(gòu)，且該中空穴至少有一個(gè)出口，通過該保護(hù)層；以及

至少一個(gè)封口栓，封住該中空穴的所述至少一個(gè)出口。

13.?如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層的成份含有玻璃或高分子材料。

14.?如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該封口栓的成份含有玻璃或高分子材料。

15.?如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該封口栓的熔點(diǎn)低于該保護(hù)層的熔點(diǎn)，且該封口栓在特定氣體環(huán)境下熔化，冷卻后固化并密封該特定氣體于該中空穴內(nèi)。

16.?一種具有中空穴的微型電子元件的制造方法，包含下列步驟：

(a)提供基板；

(b)形成犧牲層于該基板的預(yù)定區(qū)域上；

(c)涂布保護(hù)層于該犧牲層的上方，以覆蓋該犧牲層；

(d)加熱去除該犧牲層，致使該預(yù)定區(qū)域與該保護(hù)層之間形成中空穴；以及

(e)熔化整個(gè)該保護(hù)層，該保護(hù)層冷卻后固化，因此在該預(yù)定區(qū)域的外圍與該基板黏結(jié)。

17.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中該預(yù)定區(qū)域至少具有一個(gè)微結(jié)構(gòu)，且該微結(jié)構(gòu)選自于微電子電路、微振動(dòng)結(jié)構(gòu)、微機(jī)電結(jié)構(gòu)、以及微放電結(jié)構(gòu)的群組。

18.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中該犧牲層為高分子材料，步驟(d)是在含有氧氣的環(huán)境下加熱，致使該犧牲層與氧氣作用而完全揮發(fā)消失，加熱溫度低于該保護(hù)層的熔點(diǎn)。

19.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中該保護(hù)層的成份包含玻璃，該保護(hù)層在熔化前為粉末顆粒型態(tài)，熔化與冷卻后成為致密的固體組織。

20.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中該保護(hù)層在特定氣體環(huán)境下熔化，且冷卻后密封該特定氣體在該中空穴內(nèi)。