[發(fā)明專利]多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710085294.2 | 申請日: | 2007-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN101256964A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 詹宗文;古今祥 | 申請(專利權(quán))人: | 詹宗文 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人: | 曾旻輝;胡杰 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面 黏著 發(fā)光二極管 制造 方法 及其 結(jié)構(gòu) | ||
1.?一種多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:其步驟如下:
第1步驟:利用一刀模在一金屬料帶上切除除形成一散熱結(jié)構(gòu)與二電極以外的多余區(qū)域,使該金屬料帶上形成該電極與散熱結(jié)構(gòu)的基本外形;
第2步驟:在該金屬料帶上設置支撐結(jié)構(gòu),使該支撐結(jié)構(gòu)能固定多個散熱結(jié)構(gòu)及與其相關(guān)的電極;
第3步驟:在已裁切出外形的金屬料帶上進行固晶與打線,并使同一多顆表面黏著型發(fā)光二極管內(nèi)的發(fā)光晶粒之間互呈串/并聯(lián);
第4步驟:切除該金屬料帶上的散熱結(jié)構(gòu)及與相對電極的連接處等其它裁切區(qū)域,并利用所述支撐結(jié)構(gòu)而仍然能保持定位;
第5步驟:進行發(fā)光二極管的封裝,然后從金屬料帶切下已完成的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
2.?如權(quán)利要求1所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述支撐結(jié)構(gòu)是以射出成型方式進行設置。
3.?如權(quán)利要求1所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述發(fā)光晶粒之間的串/并聯(lián)是在金屬料帶上裁切成型。
4.?如權(quán)利要求1所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述發(fā)光晶粒之間的串/并聯(lián)是由導線連接成型。
5.?一種多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:其步驟如下:
第1步驟:利用一刀模在一金屬料帶上切除除形成一散熱結(jié)構(gòu)與二電極以外的多余區(qū)域,使該金屬料帶上形成該電極與散熱結(jié)構(gòu)的基本外形;
第2步驟:在該金屬料帶上設置支撐結(jié)構(gòu),使該支撐結(jié)構(gòu)能固定多個散熱結(jié)構(gòu)及與其相關(guān)的電極;
第3步驟:在已裁切出外形的金屬料帶上進行固晶與打線,并使同一多顆表面黏著型發(fā)光二極管內(nèi)的發(fā)光晶粒之間互呈串/并聯(lián);
第4步驟:切除該金屬料帶上該散熱結(jié)構(gòu)及與之相關(guān)電極的連接處等其它裁切區(qū)域,并在二相鄰的多顆表面黏著型發(fā)光二極管之間,其金屬料帶保留有連接區(qū),并由于支撐結(jié)構(gòu)而仍能保持定位;
第5步驟:進行發(fā)光二極管封裝,然后自金屬料帶切下完成的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
6.?如權(quán)利要求5所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述支撐結(jié)構(gòu)是以射出成型方式進行設置。
7.?如權(quán)利要求5所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述發(fā)光晶粒之間的串/并聯(lián)是在金屬料帶上裁切成型。
8.?如權(quán)利要求5所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管制造方法,其特征在于:
所述發(fā)光晶粒之間的串/并聯(lián)是由導線連接成型。
9.?一種多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:其包括:
一個以上等效的發(fā)光單元,各發(fā)光單元之間是以串/并聯(lián)方式進行連接,各發(fā)光單元具有一發(fā)光晶粒、一散熱結(jié)構(gòu)與二電極,該發(fā)光晶粒是作為光線來源,其固定在該散熱結(jié)構(gòu)上,該二導線則分布在該發(fā)光晶粒旁邊,并由該發(fā)光晶粒延伸連接到二電極上;
一散熱結(jié)構(gòu),是固設在各發(fā)光單元上,使各發(fā)光單元的散熱結(jié)構(gòu)與電極皆能保持在固定位置。
10.?如權(quán)利要求9所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱結(jié)構(gòu)可結(jié)合其它的散熱裝置,以提供更為高效率的散熱結(jié)果。
11.?如權(quán)利要求9所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要彎曲成各種形狀,以得到最高效率的散熱結(jié)果。
12.?如權(quán)利要求9所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要改變其面積大小,以得到最高效率的散熱結(jié)果。
13.?如權(quán)利要求9所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱結(jié)構(gòu)與二電極是由同一料帶同步完成。
14.?如權(quán)利要求9所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:其中,一組以上的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)之間互設有連接區(qū),該連接區(qū)是以串/并聯(lián)方式連接。
15.?如權(quán)利要求14所述的多顆表面黏著型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于:所述連接區(qū)是與散熱結(jié)構(gòu)、電極在同一料帶同步完成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





