[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體集成電路的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710085241.0
• 申請(qǐng)日: 2007-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN101246866A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊中邦;黃成棠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 任永武

1.一種用于一半導(dǎo)體集成電路的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體集成電路包含一襯墊及一保護(hù)層，局部覆蓋該襯墊，以界定出具有一第一橫向尺寸的一第一開口區(qū)域，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過該第一開口區(qū)域，與該襯墊呈電性連接；該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含：

一支撐層，覆蓋該第一開口區(qū)域的一邊緣，并定義出具有一第二橫向尺寸的一第二開口區(qū)域；

一導(dǎo)體，形成于該第二開口區(qū)域內(nèi)；以及

一導(dǎo)電層，其具有一中央?yún)^(qū)域及一周緣區(qū)域；

其中該中央?yún)^(qū)域形成于該導(dǎo)體與該襯墊之間；該周緣區(qū)域，形成于該中央?yún)^(qū)域的一外緣，且至少局部形成于該支撐層與該保護(hù)層之間；該周緣區(qū)域具有一第一部份及一第二部份，該中央?yún)^(qū)域及該周緣區(qū)域的第一部份，均具有一第一縱向尺寸，而該周緣區(qū)域的第二部份，具有一第二縱向尺寸；

其中該第二橫向尺寸不大于該第一橫向尺寸，該第二縱向尺寸大于該第一縱向尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層具有一第三縱向尺寸，該導(dǎo)體具有一第四縱向尺寸，該第四縱向尺寸不小于該第三縱向尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電層是由鈦鎢合金制成。

4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層材料是選自PI與BCB的材料族群中。

5.一種制造用于一半導(dǎo)體集成電路的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，其中該半導(dǎo)體集成電路包含一襯墊，及一保護(hù)層，局部覆蓋該襯墊，以界定出具有一第一橫向尺寸的一第一開口區(qū)域，該方法包含下列步驟：

(a)形成一支撐層，以定義具有一第二橫向尺寸的一第二開口區(qū)域，其中該第二橫向尺寸不大于該第一橫向尺寸；以及

(b)形成一導(dǎo)體于該第二開口區(qū)域內(nèi)，以使該導(dǎo)體通過該第一開口區(qū)域，與該襯墊呈電性連接。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于該步驟(a)實(shí)施前，還包含以下步驟：形成一導(dǎo)電層，使其一中央?yún)^(qū)域，位于該第一開口區(qū)域內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于該形成一導(dǎo)電層的步驟，包含使其一周緣區(qū)域，至少局部形成于該支撐層與該保護(hù)層之間。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于該步驟(b)中，該導(dǎo)體是持續(xù)形成至該導(dǎo)體的一第四縱向尺寸，不小于該支撐層的一第三縱向尺寸為止。