[發明專利]MOSFET器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710084669.3
• 申請日: 2007-03-01
• 公開（公告）號: CN101060134A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 布魯斯·貝內特·多麗斯;楊美基;趙澤安;王敬
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李春暉

1、一種MOSFET器件，包括：

接地層，其由單晶硅基材料形成，其中所述接地層具有濃度在1×10¹⁸/cm³到1×10²⁰/cm³之間的第一類型的摻雜劑雜質；

硅基本體層，其外延設置在所述接地層上并有與所述接地層之間的界面，其中所述本體層厚度在2nm到7nm之間，其中所述本體層具有濃度在1×10¹⁸/cm³到5×10¹⁹/cm³之間的第二類型的摻雜劑雜質，其中在所述第一類型和所述第二類型的摻雜劑雜質之間的過渡區具有在2.5nm到0.5nm之間的跨越所述界面的寬度；

柵絕緣層，其設置在所述本體層上；

柵極，其設置在所述柵絕緣層上，其中所述柵極包含具有中間能隙功函數的金屬，其中所述金屬和所述柵絕緣層直接接觸，其中所述柵極的長度小于40nm；以及

源極和漏極，其中所述源極和所述漏極具有濃度在5×10¹⁹/cm³到2×10²⁰/cm³之間的第二類型的摻雜劑雜質，其中所述源極和所述漏極的結深小于7nm。

2、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述柵極長度在15nm到35nm之間。

3、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述本體層中的所述第二類型的所述摻雜劑雜質的濃度在5×10¹⁸/cm³到5×10¹⁹/cm³之間。

4、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一類型的所述摻雜劑雜質是n型，而所述第二類型的所述摻雜劑雜質是p型。

5、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一類型的所述摻雜劑雜質是p型，而所述第二類型的所述摻雜劑雜質是n型。

6、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述源極和所述漏極是高起型源極/漏極。

7、如權利要求1所述的MOSFET器件，其中所述單晶硅基材料和所述硅基本體層是純硅。