[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710084483.8
• 申請日: 2007-03-02
• 公開（公告）號: CN101106115A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 牧野豊;岡本九弘;栗田行樹
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

電極焊盤，設置在所述半導體襯底的一個主表面上方，利用鋁作為其主要材料，且在其表面層部分上具有銅層；

凸點基層，設置在所述電極焊盤上；以及

凸點，設置在所述電極焊盤上方，并且所述凸點基層位于所述凸點與所述電極焊盤之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述銅層是具有不連續點或島的形式的層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述凸點基層由鎳層形成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述銅層形成為具有大于等于1nm且小于等于20nm范圍內的厚度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述電極焊盤設置在絕緣層上，所述絕緣層設置在所述半導體襯底的所述一個主表面上。

6.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

電極焊盤，設置在所述半導體襯底的一個主表面上，利用鋁作為其主要材料，且在其表面層部分中包含銅，銅的濃度從所述表面層部分起在厚度方向上變低；

凸點基層，設置在所述電極焊盤上；以及

凸點，設置在所述電極焊盤上方，并且所述凸點基層位于所述凸點與所述電極焊盤之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中包含在所述電極焊盤的表面層部分中且其濃度從所述表面層部分起在所述電極焊盤的厚度方向上變低的銅，是以點或島的形式不連續地設置在所述電極焊盤的表面層部分中。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述凸點基層由鎳層形成。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述銅層形成為具有大于等于1nm且小于等于20nm范圍內的厚度。

10.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述電極焊盤設置在絕緣層上，所述絕緣層設置在所述半導體襯底的所述一個主表面上。

11.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在半導體襯底的一個主表面上方，形成以鋁作為主要材料的電極焊盤；

在所述電極焊盤的表面上形成銅層；

在上面形成有所述銅層的所述電極焊盤上沉積鋅；

以所述鋅作為催化劑，在所述電極焊盤上形成凸點基層；以及

在所述凸點基層上形成凸點。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，在所述電極焊盤的表面上形成銅層的所述步驟之后，還包括以下步驟：將銅包含于所述電極焊盤的表面層部分中并使得銅的濃度從所述表面層部分起在厚度方向上變低。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中在將銅包含于所述電極焊盤的表面層部分中并使得銅的濃度從所述表面層部分起在厚度方向上變低的所述步驟中，通過熱處理將銅擴散到所述電極焊盤的表面中。

14.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其中所述銅層是通過濺射法或氣相沉積法形成的。

15.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其中通過化學鍍方法，在上面形成有所述銅層的所述電極焊盤上，形成由鎳制成的所述凸點基層。

16.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其中所述銅層形成為具有大于等于1nm且小于等于20nm范圍內的厚度。

17.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，還包括以下步驟：在形成所述凸點基層之后，除去所述凸點基層周圍的銅。