[發(fā)明專利]顯示基板及其修復(fù)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710084459.4 | 申請日: | 2007-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN101086564A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜球賢;申大根;宋大赫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/13 | 分類號: | G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 修復(fù) 方法 | ||
1.一種顯示基板,包括:
信號線;
保護層,覆蓋所述信號線,其中所述保護層包括形成在其中的修復(fù)槽;及
修復(fù)線,形成在所述修復(fù)槽中并電連接至所述信號線從而修復(fù)所述信號線的電連接故障。
2.如權(quán)利要求1的顯示基板,其中所述修復(fù)槽連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預(yù)定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域,并且所述電連接故障位于所述第一和第二區(qū)域之間。
3.如權(quán)利要求2的顯示基板,其中所述保護層包括第一子保護層和形成在所述第一子保護層上的第二子保護層,并且所述修復(fù)槽形成在所述第二子保護層處。
4.如權(quán)利要求3的顯示基板,其中第一連接孔和第二連接孔形成在所述第一子保護層處從而電連接所述修復(fù)線至所述信號線。
5.如權(quán)利要求4的顯示基板,其中所述第一子保護層是鈍化層,且所述第二子保護層是有機絕緣層或濾色器。
6.如權(quán)利要求4的顯示基板,其中所述電連接故障包括短接故障,所述修復(fù)槽具有直線形狀,且所述修復(fù)槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
7.如權(quán)利要求4的顯示基板,其中所述信號線包括柵極線或數(shù)據(jù)線之一,
所述電連接故障包括所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉處產(chǎn)生的短接故障,及
所述信號線具有設(shè)置在所述第一連接孔和所述電連接故障之間的第一斷開槽、及設(shè)置在所述第二連接孔和所述電連接故障之間的第二斷開槽從而斷開所述信號線。
8.如權(quán)利要求7的顯示基板,其中所述第一和第二斷開槽在所述修復(fù)線形成之后形成,且所述第一和第二斷開槽與所述修復(fù)槽間隔開。
9.如權(quán)利要求8的顯示基板,其中所述修復(fù)槽具有基本‘U’形。
10.如權(quán)利要求7的顯示基板,還包括設(shè)置在所述第一和第二斷開槽的每個中的絕緣材料。
11.如權(quán)利要求10的顯示基板,其中所述修復(fù)槽具有直線形狀,且所述修復(fù)槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
12.如權(quán)利要求11的顯示基板,還包括:
薄膜晶體管,通過所述保護層覆蓋并電連接到所述信號線;及
像素電極,形成在所述保護層上并電連接到所述薄膜晶體管。
13.一種修復(fù)顯示基板的方法,該方法包括:
去除覆蓋信號線的保護層的部分從而形成修復(fù)槽;及
在所述修復(fù)槽中形成修復(fù)線從而修復(fù)電連接故障,所述修復(fù)線電連接到所述信號線。
14.如權(quán)利要求13的方法,其中所述修復(fù)槽連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預(yù)定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域,并且所述電連接故障位于所述第一和第二區(qū)域之間。
15.如權(quán)利要求14的方法,其中形成所述修復(fù)線包括:
去除所述保護層的對應(yīng)于所述第一和第二區(qū)域的部分從而形成第一連接孔和第二連接孔,通過所述第一連接孔和第二連接孔暴露所述信號線的一部分;及
在所述修復(fù)槽中形成所述修復(fù)線,所述修復(fù)線通過所述第一和第二連接孔電連接到所述信號線。
16.如權(quán)利要求15的方法,其中所述保護層包括第一子保護層和形成在所述第一子保護層上的第二子保護層,并且所述修復(fù)槽形成在所述第二子保護層處,且所述第一和第二連接孔形成在所述第一子保護層處。
17.如權(quán)利要求16的方法,其中所述第一子保護層是鈍化層,且所述第二子保護層是有機絕緣層或濾色器。
18.如權(quán)利要求14的方法,其中所述修復(fù)線通過激光化學(xué)氣相沉積(CVD)方法形成。
19.如權(quán)利要求18的方法,其中所述修復(fù)槽利用與用于所述激光CVD方法的激光束基本相同的激光束形成。
20.如權(quán)利要求19的方法,其中所述激光束是連續(xù)波激光束。
21.如權(quán)利要求20的方法,其中所述激光束的波長為大約340nm至大約360nm。
22.如權(quán)利要求14的方法,其中所述電連接故障包括短接故障,所述修復(fù)槽具有直線形狀,且所述修復(fù)槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
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G02F1-35 .非線性光學(xué)
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G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





