[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710084324.8 | 申請日： | 2007-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN101257046A | 公開（公告）日： | 2008-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭博倫 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制造 方法 | ||
1.?一種半導(dǎo)體元件，包括：
基底，該基底中具有兩個開口；
柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個開口之間的該基底上；
間隙壁，配置在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個開口上方；
具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個開口表面上；以及
具有硼摻雜的第二多晶硅鍺層，配置在該第一多晶硅鍺層上，且該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，
其中該第一多晶硅鍺層的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。
2.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，更包括至少一層具有硼摻雜的第三多晶硅鍺層，其配置于該第一與該第二多晶硅鍺層之間，且該第三多晶硅鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。
3.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
4.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
5.?一種半導(dǎo)體元件，包括：
基底，該基底中具有兩個開口；
柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個開口之間的該基底上；
間隙壁，配置在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個開口上方；以及
具有硼摻雜的多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個開口中，而該多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度值。
6.?如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。
7.?如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層中的鍺含量為固定值。
8.?一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：
在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層；
定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)；
在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；
在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個開口，且部分該兩個開口延伸至該間隙壁下方；以及
在該兩個開口中依序形成具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層與第二多晶硅鍺層，而該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該第一多晶硅鍺層的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。
9.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括在該第一與該第二多晶硅鍺層之間形成至少一層具有硼摻雜的第三多晶硅鍺層，其中該第三多晶硅鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。
10.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
11.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
12.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一與該第二多晶硅鍺層的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法。
13.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成該兩個開口的方法包括各向同性蝕刻法。
14.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該兩個開口形成之后，更包括對該兩個開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。
15.?一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：
在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層；
定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)；
在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；
在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個開口，且該兩個開口延伸至部分該間隙壁下方；以及
在該兩個開口中形成具有硼摻雜的多晶硅鍺層，而該多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度值。
16.?如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。
17.?如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層中的鍺含量為固定值。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
