[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710084324.8
• 申請(qǐng)日: 2007-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN101257046A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭博倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種半導(dǎo)體元件，包括：

基底，該基底中具有兩個(gè)開口；

柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個(gè)開口之間的該基底上；

間隙壁，配置在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個(gè)開口上方；

具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個(gè)開口表面上；以及

具有硼摻雜的第二多晶硅鍺層，配置在該第一多晶硅鍺層上，且該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，

其中該第一多晶硅鍺層的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。

2.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，更包括至少一層具有硼摻雜的第三多晶硅鍺層，其配置于該第一與該第二多晶硅鍺層之間，且該第三多晶硅鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。

3.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。

4.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。

5.?一種半導(dǎo)體元件，包括：

基底，該基底中具有兩個(gè)開口；

柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個(gè)開口之間的該基底上；

間隙壁，配置在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個(gè)開口上方；以及

具有硼摻雜的多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個(gè)開口中，而該多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度值。

6.?如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。

7.?如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層中的鍺含量為固定值。

8.?一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：

在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層；

定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)；

在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；

在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個(gè)開口，且部分該兩個(gè)開口延伸至該間隙壁下方；以及

在該兩個(gè)開口中依序形成具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層與第二多晶硅鍺層，而該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該第一多晶硅鍺層的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。

9.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括在該第一與該第二多晶硅鍺層之間形成至少一層具有硼摻雜的第三多晶硅鍺層，其中該第三多晶硅鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。

10.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。

11.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。

12.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一與該第二多晶硅鍺層的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法。

13.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成該兩個(gè)開口的方法包括各向同性蝕刻法。

14.?如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該兩個(gè)開口形成之后，更包括對(duì)該兩個(gè)開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。

15.?一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：

在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層；

定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)；

在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；

在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個(gè)開口，且該兩個(gè)開口延伸至部分該間隙壁下方；以及

在該兩個(gè)開口中形成具有硼摻雜的多晶硅鍺層，而該多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度值。

16.?如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。

17.?如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層中的鍺含量為固定值。