[發明專利]磁性石榴石單晶及使用其的光學元件有效
| 申請號: | 200710084170.2 | 申請日: | 2007-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN101054726A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 大井戶敦 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | C30B29/28 | 分類號: | C30B29/28;H01F10/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孫秀武;李平英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁性 石榴石 使用 光學 元件 | ||
技術領域
本發明涉及磁性石榴石單晶及使用其的光學元件。
背景技術
法拉第轉子是具有使透射光的偏光面旋轉的功能的光學元件,用 于通信用光隔離器、光衰減器、光循環器、光磁場傳感器等光裝置中。 法拉第轉子一般使用板狀的鉍(Bi)置換稀土類鐵石榴石單晶制作。 Bi置換稀土類鐵石榴石單晶利用作為助熔劑法的一種的液相外延 (LPE)法來育成。
利用LPE法來育成Bi置換稀土類鐵石榴石單晶時,為了一邊保 持過飽和狀態一邊穩定地生長石榴石單晶,一般地氧化鉛(PbO)、 氧化鉍(Bi2O3)和氧化硼(B2O3)被用作為溶劑。因此在育成磁性石 榴石單晶時晶體中混入少量的鉛(Pb)。一直以來通信用光裝置所使 用的法拉第轉子使用在化學式Bi3-x-yM1xPbyFe5-z-wM2zM3wO12中Pb的 量y為0.03~0.06左右的磁性石榴石單晶。
【專利文獻1】特開2001-044026號公報
【專利文獻2】特開2001-044027號公報
【專利文獻3】特公平6-046604號公報
發明內容
可是,隨著近年的環境保護運動的高漲,正在努力削減所有的工 業制品中的環境負擔物質Pb的含有量。因此,即使在利用LPE法育 成的磁性石榴石單晶中,混入的少量Pb也可成為環境污染的因素, 從而成為問題。因此,需要削減或去除構成法拉第轉子的材料磁性石 榴石單晶中所含Pb的量。
本發明的目的在于,提供削減了Pb含有量的磁性石榴石單晶及 使用其的光學元件。
上述目的可通過一種磁性石榴石單晶來達到,所述的磁性石榴石 單晶,其特征在于,用化學式BiαM13-αFe5-β-γM2βM3γO12(M1是選自 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、 Lu中的至少1種元素,M2是Si,M3是選自Zn、Ni、Cu、Mg中的 至少1種元素,0.5<α≤2.0、0<β、0<γ)表示。
根據上面所述的本發明的磁性石榴石單晶,其特征在于,上述β 和γ滿足0<β+γ≤0.04的關系。
另外,上述目的可通過一種光學元件來達到,所述光學元件,其 特征在于,使用上述本發明的磁性石榴石單晶制成。
根據本發明,能夠削減或完全去除磁性石榴石單晶中所含的Pb量。
附圖說明
[圖1]匯總示出了本發明一實施方案的實施例和比較例中的溶劑 所含的元素、和育成的磁性石榴石單晶的Si量β、M3的元素、M3 量γ、β+γ以及結晶缺陷密度、和制作的法拉第轉子的光損耗。
符號的說明
βM2(Si)量
γM3量
具體實施方式
用圖1說明本發明的一實施方案的磁性石榴石單晶及使用其的光 學元件。在本實施方案中,為了育成Pb的含有量少的磁性石榴石單 晶,用其他物質替代溶劑中所含的PbO的至少一部分。含有鈉(Na) 和氧的物質與其他的氧化物比,大多在較低的溫度下熔化,因此作為 育成磁性石榴石單晶時的溶劑也有效。例如,由含有氫氧化鈉(NaOH) 的溶劑育成的磁性石榴石單晶,可得到沒有結晶缺陷或裂紋的優異的 品質。可是已判明,由含Na的溶劑育成的石榴石單晶,在光通信所 使用的1300~1600nm的波段內的光吸收極大。當加工具有大的光吸 收的石榴石單晶來制作法拉第轉子等光學元件時,可發生光學元件的 光損耗(插入損耗)變高的問題。
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