[發明專利]封裝導電結構及其制造方法有效
| 申請號： | 200710084093.0 | 申請日： | 2007-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN101246865A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 齊中邦 | 申請（專利權）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 臺灣省新竹縣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 導電 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種封裝導電結構，用于一半導體基材，該半導體基材上包含一襯墊，該封裝導電結構包含：
一凸塊下金屬層，與該半導體基材的襯墊電性連接，其中該凸塊下金屬層具有一中央區域及一周緣區域，以形成一容置空間；
至少一輔助件，設置于該容置空間內，且于該凸塊下金屬層的中央區域上；
一凸塊導電層，覆蓋于該凸塊下金屬層及該至少一輔助件；以及
一凸塊，設置于該凸塊導電層上；
其中，該凸塊下金屬層是于該中央區域與該襯墊接合，借此，該凸塊通過該凸塊導電層及該凸塊下金屬層，可與該半導體基材的襯墊電性連接。
2.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于還具有一保護層，該凸塊下金屬層適以該周緣區域，部分覆蓋該保護層的一邊緣。
3.根據權利要求2所述的封裝導電結構，其特征在于該保護層是局部覆蓋該襯墊。
4.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于該凸塊下金屬層是由鈦/鎢合金或鉻所制成。
5.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于該凸塊導電層是由金或鉻所制成。
6.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于該至少一輔助件是由聚酰亞胺所制成。
7.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于該至少一輔助件為一柱體。
8.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于還包含多個輔助件。
9.根據權利要求1所述的封裝導電結構，其特征在于該襯墊由鋁所制成。
10.一種封裝導電結構的制造方法，該封裝導電結構是用于一半導體基材，該半導體基材包含一襯墊，該制造方法包含下列步驟：
(a)形成一保護層于該半導體基材上，局部覆蓋該襯墊；
(b)形成一凸塊下金屬層于該保護層上，其中該凸塊下金屬層具有一中央區域及一周緣區域，以形成一容置空間，且該凸塊下金屬層于該中央區域與該襯墊電性連接；
(c)于該容置空間中且于該凸塊下金屬層的中央區域上形成至少一輔助件；
(d)形成一凸塊導電層，覆蓋于該凸塊下金屬層及該至少一輔助件上；以及
(e)形成一凸塊于該凸塊導電層上，通過該凸塊導電層及該凸塊下金屬層與該襯墊電性連接。
11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于該步驟(a)包含：
形成一光阻層；以及
進行一蝕刻工序。
12.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于該步驟(c)包含：
進行一曝光工序，以于該凸塊下金屬層上形成該至少一輔助件；以及
針對該至少一輔助件進行一加熱工序，使該至少一輔助件固化。
13.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于該至少一輔助件是由聚酰亞胺所制成。
14.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于該凸塊下金屬層是由鈦/鎢合金或鉻所制成。
15.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于該凸塊導電層是由金或鉻所制成。
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