[發(fā)明專利]通過晶片承載器溫度偏置來改變晶片表面溫度的系統(tǒng)和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710084013.1
• 申請日: 2007-02-09
• 公開（公告）號: CN101054718A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·谷拉瑞;E·A·阿穆爾;R·霍夫曼;J·克魯爾
• 申請（專利權(quán)）人: 維高儀器股份有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12;C30B25/10
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 胡曉萍

1.一種晶片承載器，包括：

晶片承載器結(jié)構(gòu)；

由所述晶片承載器結(jié)構(gòu)的第一材料形成的第一表面，所述第一表面包括多個嵌入的晶片間隔室；

與所述晶片承載器結(jié)構(gòu)上的所述第一表面相對設(shè)置的第二表面，所述第二表面包括與所述第一材料接合的第二材料層；以及，

所述第二材料基本覆蓋除所述第二表面中基本與所述第一表面上的所述多個嵌入的晶片間隔室相對的區(qū)域外的全部的所述第二表面。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片承載器，其特征在于，所述第一材料基本覆蓋所述第二表面中基本與所述第一表面上的所述多個嵌入的晶片間隔室相對的全部所述區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的晶片承載器，其特征在于，所述第一材料選自具有或不具有表面涂層的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、鉬、鎢以及它們的混合物或合金中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求3所述的晶片承載器，其特征在于，所述第二材料選自具有或不具有表面涂層的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、鉬、鎢以及它們的混合物或合金中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的晶片承載器，其特征在于，所述第二表面是平坦的，所述第一表面除所述嵌入晶片間隔室外是平坦的，而所述嵌入晶片間隔室包括用于將晶片安置于其上的臺階式外緣。

6.如權(quán)利要求1所述的晶片承載器，其特征在于，所述第二材料由多層材料形成，它們中的至少一層不同于所述第一材料。

7.一種晶片承載器，包括：

晶片承載器結(jié)構(gòu)；

其中具有晶片間隔室的第一圖案的第一表面，所述第一表面由所述晶片承載器結(jié)構(gòu)的第一材料形成；以及，

與所述晶片承載器結(jié)構(gòu)上的所述第一表面相對設(shè)置的第二表面，所述第二表面中設(shè)置有第二材料的第二圖案，其中所述第二材料的第二圖案基本是所述晶片間隔室的第一圖案的凹凸反相。

8.如權(quán)利要求7所述的晶片承載器，其特征在于，所述第一材料基本以所述第一圖案延伸到所述第二表面，而所述第二材料基本以所述第二圖案嵌入于所述第二表面中。

9.如權(quán)利要求8所述的晶片承載器，其特征在于，所述第一表面除所述晶片間隔室外是平坦的。

10.如權(quán)利要求9所述的晶片承載器，其特征在于，所述晶片間隔室包括用于將晶片安置于其上的臺階式外緣。

11.如權(quán)利要求8所述的晶片承載器，其特征在于，所述晶片間隔室中具有用于將晶片安置于其中的形狀，所述形狀選自凹形、鋸齒、臺階以及多個支柱的形狀。

12.如權(quán)利要求7所述的晶片承載器，其特征在于，所述第二材料由多層材料形成，它們中的至少一層不同于所述第一材料。

13.如權(quán)利要求7所述的晶片承載器，其特征在于，所述第一材料選自具有或不具有表面涂層的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、鉬、鎢以及它們的混合物或合金中的一種或多種。

14.如權(quán)利要求13所述的晶片承載器，其特征在于，所述第二材料選自具有或不具有表面涂層的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、鉬、鎢以及它們的混合物或合金中的一種或多種。

15.如權(quán)利要求7所述的晶片承載器，其特征在于，所述晶片間隔室在所述晶片承載器的頂面上形成一個環(huán)形圖案。

16.如權(quán)利要求15所述的晶片承載器，其特征在于，所述晶片間隔室在所述晶片承載器的頂面上形成多個環(huán)形圖案。