[發明專利]形成半導體器件的精細圖案的方法

有效

• 申請號: 200710080093.3
• 申請日: 2007-03-07
• 公開（公告）號: CN101145513A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 鄭載昌;文承燦;卜喆圭;閔明子;潘槿道;林喜烈
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;張天舒

1.一種形成半導體器件圖案的方法，所述方法包括：

提供包含基層的半導體基板；

在所述基層上形成第一光阻圖案；

將所述第一光阻圖案曝光，以從所述第一光阻圖案產生酸；

將所述第一光阻圖案漂白以使所述第一光阻圖案對曝光無反應；

在所述基層與對曝光無反應的所述第一光阻圖案上形成第二光阻膜；以及

將所述第二光阻膜曝光以形成第二光阻圖案，從而在所述基層上產生所述第一光阻圖案和所述第二光阻圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案的曝光步驟是采用范圍從約30mJ/cm²至約200mJ/cm²的曝光能量進行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案的曝光是采用范圍從約80mJ/cm²至約120mJ/cm²的曝光能量進行。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案的漂白工序使用堿性物質進行，所述堿性物質選自由三乙胺、六甲基二硅烷、氨、甲胺及其組合所組成的群組。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述漂白工序涉及濕式法。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，

所述漂白工序包括：

將包含所述第一光阻圖案的半導體基板插入漂白溶液中歷時約50～70秒；以及

將所述半導體基板旋轉脫水。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述漂白工序涉及干式法。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，

所述干式漂白工序是在約60℃或更低的溫度下通過將漂白物質噴灑在所述半導體基板上而進行。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案包括多個結構，所述第二光阻圖案包括多個結構，所述第一光阻圖案的結構與所述第二光阻圖案的結構交錯。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述第二光阻膜包含C₄-C₈醇作為溶劑。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，

所述溶劑選自由下列物質所組成的群組，這些物質包括：1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、1，2-二甲基-1-丙醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、2-甲基-戊醇、3-甲基戊醇、4-甲基戊醇、1，3-二甲基丁醇、1，2-二甲基丁醇、庚醇、辛醇及其組合。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案的結構具有第一間距，所述第二光阻圖案的結構基本上具有所述第一間距。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

所述第一光阻圖案的結構和所述第二光阻圖案的結構一起限定小于所述第一間距的第二間距，所述第二間距為所述第一間距的約1/2。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一光阻圖案與所述半導體基板之間的界面處形成硬掩模層和抗反射膜。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述基層是所述半導體基板。

16.一種在基板上形成圖案的方法，所述方法包括：

提供包含基層的基板；

在所述基層上形成第一圖案，所述第一圖案構造成在曝光時起化學反應，所述第一圖案具有多個帶有間距的第一結構；

將所述第一圖案轉化成在曝光時不起化學反應的第二圖案，所述第二圖案具有多個第二結構，所述第二結構具有與所述第一結構相同的間距；

在所述第二圖案與所述基層上形成膜，所述膜構造成在曝光時起化學反應；

將所述膜曝光以形成具有多個帶有間距的第三結構的第三圖案，從而在所述基層上產生所述第二圖案和所述第三圖案；以及

將所述第二圖案和所述第三圖案轉移到所述基層上。