[發明專利]具有研磨粒子的拋光材料及其制造方法

無效

• 申請號: 200710080011.5
• 申請日: 2007-02-28
• 公開（公告）號: CN101239456A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 馮崇智;姚伊蓬;王良光;洪永璋;蔡超元
• 申請（專利權）人: 三芳化學工業股份有限公司
• 主分類號: B24D11/00
• 分類號: B24D11/00;C09K3/14;B24D11/08;B24D18/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉;徐永樂

技術領域

本發明涉及一種拋光材料及其制造方法，確切地說，涉及一種具有研磨粒子的拋光材料及其制造方法。

背景技術

一般拋光是用化學機械研磨(CMP)工藝對粗糙表面進行的研磨，其利用含有研磨粒子的研磨液平均分布于研磨墊的表面上，同時將待拋光元件抵住所述研磨墊后，進行重復且規律的搓磨動作。所述待拋光元件是例如半導體、儲存媒體基材、集成電路、LCD平板玻璃、光學玻璃及光電面板等物體。

參考圖1，其顯示一種常規研磨墊的示意圖。所述研磨墊1為一不具有研磨粒子的研磨墊，其表面具有復數條溝槽11。在對一待拋光元件(未圖示)進行拋光作業時，將含有研磨粒子的研磨液施加在所述待拋光元件與所述研磨墊1之間，利用所述研磨液的所述研磨粒子進行拋光。但所述研磨液在所述待拋光元件與所述研磨墊1之間分布會受限于所述溝槽11的設計，所述研磨粒子無法均勻分布，不但會降低研磨的效率，且使用后的所述研磨液也容易造成污染。

參考圖2，其顯示美國專利第5,692,950號的常規研磨墊的示意圖。所述研磨墊2包括一基底21、一粘著層22及一研磨層23。所述基底21包括一彈性層211及一堅硬層212。所述粘著層22設置于所述堅硬層212上。所述研磨層23包括一背層231及一研磨結構232，所述背層231設置于所述粘著層22上。其中，所述研磨結構232具有預設圖案且具有復數個固定的研磨粒子233。所述研磨粒子233分布于所述研磨結構232的內部及表面。

同樣，在對待拋光元件(未圖示)進行拋光作業時，需將含有研磨粒子的研磨液施加在所述待拋光元件與所述研磨墊2之間，以增加研磨效果。雖然所述研磨墊2具有所述研磨粒子233，但所述研磨結構232的主體為一獨立發泡的PU材質，所述研磨粒子233存在于所述研磨結構232的個別獨立的孔洞中，所述研磨粒子233不具有流動性。當研磨時，所述研磨結構232表面的所述研磨粒子233會直接與所述待拋光元件的表面接觸，或當所述研磨結構232經研磨一段時間后，所述研磨結構232內部的所述研磨粒子233也會裸露并直接與所述待拋光元件的表面接觸，因此容易造成所述待拋光元件的表面刮傷。

因此，有必要提供一種創新且具有進步性的具有研磨粒子的拋光材料及其制造方法，以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種具有研磨粒子的拋光材料。所述具有研磨粒子的拋光材料包括一基材、復數個研磨粒子及一高分子彈性體。所述基材具有復數條纖維，所述纖維界定復數個網格空間。所述研磨粒子分布于所述網格空間中。所述高分子彈性體覆蓋所述基材及所述研磨粒子。

本發明的另一目的在于提供一種具有研磨粒子的拋光材料的制造方法。所述制造方法包括：(a)提供一基材，所述基材具有復數條纖維，所述纖維界定復數個網格空間；(b)將所述基材沉浸于一含有復數個研磨粒子的高分子溶液中，使得所述研磨粒子分布于所述網格空間中；及(c)固化附著于所述基材的所述高分子溶液以形成一高分子彈性體，所述高分子彈性體覆蓋所述基材及所述研磨粒子。

利用本發明具有研磨粒子的拋光材料及其制造方法，所述研磨粒子可均勻地分布，在拋光過程中能達到均勻分布在研磨面上的效果。因此，本發明具有研磨粒子的拋光材料及其制造方法，可以改善常規的未含研磨粒子的拋光材料在拋光時研磨液中的研磨粒子無法均勻分散，造成降低研磨效果及研磨液使用后研磨液污染的問題。

此外，本發明的所述基材可避免所述研磨粒子直接接觸被拋光元件，因此可改善常規獨立發泡體的研磨材料因研磨粒子存在于獨立孔洞內而不具有流動性，而容易造成被拋光元件表面刮傷的問題。另外，本發明的所述基材同時可提供掃除研磨殘屑的功效。

附圖說明

圖1顯示常規研磨墊的示意圖；

圖2顯示美國專利第5,692,950號的常規研磨墊的示意圖；

圖3顯示本發明基材的示意圖；

圖4顯示本發明基材浸入一含有復數個研磨粒子的高分子溶液中的示意圖；

圖5顯示本發明具有研磨粒子的拋光材料的剖面圖；

圖6顯示本發明具有研磨粒子的拋光材料的表面經研磨后暴露出部分纖維的剖面圖；及

圖7顯示本發明具有研磨粒子的拋光材料表面形成復數條溝槽的剖面圖。

具體實施方式

本發明提供一種具有研磨粒子的拋光材料，所述具有研磨粒子的拋光材料是應用于化學機械研磨(CMP)工藝中對一待拋光元件進行研磨或拋光。所述待拋光元件包括但不限于半導體、儲存媒體基材、集成電路、LCD平板玻璃、光學玻璃及光電面板等物體。