[發(fā)明專利]介電層中嵌入導(dǎo)電元件的方法和工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710079252.8 | 申請日： | 2007-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN101022703A | 公開（公告）日： | 2007-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 利姆·賽昂·桑;尼歐·莫克·楚恩;凱文·林;開爾文·姚;泰·廣·柴 | 申請（專利權(quán)）人： | 新美亞通訊設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/46 | 分類號： | H05K3/46;H05K3/32;H05K3/42;H05K1/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 霍育棟;鄭霞 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介電層中 嵌入 導(dǎo)電 元件 方法 工藝 | ||
【說明書】：
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