[發明專利]開口與介層窗開口的制造方法有效
| 申請號： | 200710079121.X | 申請日： | 2007-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN101246844A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 韓敬仁;羅文勛;邱永漢 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙燕力 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 開口 介層窗 制造 方法 | ||
1.一種開口的制造方法，其特征在于該制造方法包括：
提供一襯底，該襯底上已形成有一導電部與一介電層，該導電部由下而上至少包括一導體層與一保護層，該介電層覆蓋住該導電部；
使用含有一高聚合物氣體的一反應氣體對該介電層進行一第一干式刻蝕步驟，于該保護層上形成一開口，該開口底部具有一初始尺寸，且該開口底面與該開口內壁夾一鈍角；
進行一開口擴大步驟，使該開口底部達到一目標尺寸，該目標尺寸大于該初始尺寸，該目標尺寸與該初始尺寸的尺寸差小于該保護層的厚度，該開口至少未裸露出該導體層。
2.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：所述該鈍角大于93°。
3.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該導體層的材質包括鋁。
4.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該第一干式刻蝕步驟中，附著在該開口頂部內壁的聚合物多于附著在該開口底部內壁的聚合物。
5.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該開口擴大步驟包括一第二干式刻蝕步驟。
6.如權利要求5所述的開口的制造方法，其特征在于：于該第二干式刻蝕步驟中，該保護層與該介電層的刻蝕選擇比介于0.92～1.2之間。
7.如權利要求5所述的開口的制造方法，其特征在于：該第二干式刻蝕步驟的反應腔壓力高于該第一干式刻蝕步驟的反應腔壓力。
8.如權利要求5所述的開口的制造方法，其特征在于：該第二干式刻蝕步驟的反應腔壓力介于60～200mT之間。
9.如權利要求5所述的開口的制造方法，其特征在于：該第二干式刻蝕步驟使用的功率介于300～800W之間。
10.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該介電層的材質包括氧化硅。
11.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該保護層的材質包括鈦/氮化鈦。
12.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該高聚合物氣體包括一氧化碳、八氟環丁烷。
13.如權利要求12所述的開口的制造方法，其特征在于：一氧化碳的流量介于90～400sccm之間，八氟環丁烷的流量介于12～20sccm之間。
14.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該反應氣體更包括一清潔氣體。
15.如權利要求14所述的開口的制造方法，其特征在于：該清潔氣體包括氧氣，且氧氣的流量小于3sccm。
16.如權利要求1所述的開口的制造方法，其特征在于：該反應氣體更包括氧氣、氬氣與三氟甲烷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
