[發明專利]去除光致抗蝕劑、蝕刻殘余物和BARC的配制料

有效

• 申請號: 200710078973.7
• 申請日: 2007-02-16
• 公開（公告）號: CN101187789B
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: M·I·埃貝;M·W·勒根扎
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;G03F7/36;G03F7/26;C11D3/26;C11D3/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉鍇;段曉玲

1.一種去除光致抗蝕劑、離子注入光致抗蝕劑、BARC和/或蝕刻殘余物 的配制料，其中該配制料包括：氫氧化銨、2-氨基苯并噻唑、

0-60重量％的水溶性的有機溶劑，其選自二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、 二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基-2-哌啶酮、四氫糠醇、甘 油、乙二醇、亞砜、丙二醇、四氫糠醇、雙丙酮醇、1，4-環己烷二甲醇、乙二醇 醚及它們的混合物所組成的群組、

0-20重量％的腐蝕抑制劑，該腐蝕抑制劑選自甲苯基三唑、苯并三唑、間 苯二酚、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、兒茶酚、連苯三酚、羧基苯并三唑、果糖、 硫代硫酸銨、甘氨酸、四甲基胍、亞氨基二乙酸、二甲基乙酰乙酰胺、三羥基 苯、二羥基苯、水楊基羥肟酸及它們的混合物所組成的群組、

余量的水，并且該氫氧化銨不含有超過100ppm的污染物金屬。

2.權利要求1所述的配制料，其不含有氧化劑或磨粒。

3.權利要求1所述的配制料，其中該氫氧化銨是氫氧化四甲基銨。

4.權利要求1所述的配制料，其進一步包括0-10重量％的有機酸，該有 機酸選自檸檬酸、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、苯甲酸、丙二酸、馬來酸、富馬 酸、D，L-蘋果酸、異酞酸、鄰苯二甲酸、乳酸及它們的混合物所組成的群組。

5.權利要求1所述的配制料，其進一步包括選自表面活性劑、鰲合劑、化 學改性劑、染料、生物殺滅劑及它們的混合物所組成的群組的添加劑，條件是 該添加劑不會不利地影響該配制料的剝離和清洗能力或下面的金屬、硅、二氧 化硅、層間介電體材料、低-k和/或高-k材料的完整性。

6.一種去除光致抗蝕劑、離子注入光致抗蝕劑、BARC和/或蝕刻殘余物 的配制料，其中該配制料包括：氫氧化四甲基銨、甲苯基三唑、丙二醇、2-氨基 苯并噻唑、二丙二醇單甲醚、余量的水，并且該氫氧化四甲基銨不含有超過100 ppm的污染物金屬。

7.權利要求6所述的配制料，其中該配制料包括：氫氧化四甲基銨1-15 重量％、甲苯基三唑1-5重量％、丙二醇5-15重量％、2-氨基苯并噻唑1-10 重量％、二丙二醇單甲醚20-45重量％、余量的水。

8.權利要求6所述的配制料，其中該配制料包括：氫氧化四甲基銨6.5重 量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇10重量％、2-氨基苯并噻唑6重量％、二丙 二醇單甲醚39重量％、余量的水。

9.權利要求6所述的配制料，其中該配制料包括：氫氧化四甲基銨5重量 ％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇12.13重量％、2-氨基苯并噻唑1.5重量％、二 丙二醇單甲醚40重量％、余量的水。

10.一種從基底去除選自光致抗蝕劑、離子注入光致抗蝕劑、蝕刻殘余物、 BARC以及它們的組合的物質的方法，其包括：將根據權利要求1的配制料施 用到所述基底從而從所述基底去除所述物質。

11.權利要求10所述的方法，其中該配制料不含有氧化劑或磨粒。

12.權利要求10所述的方法，其中該配制料進一步包括0-10重量％的有 機酸，該有機酸選自檸檬酸、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、苯甲酸、丙二酸、馬 來酸、富馬酸、D，L-蘋果酸、異酞酸、鄰苯二甲酸、乳酸及它們的混合物所組 成的群組。

13.權利要求10所述的方法，其中該配制料進一步包括選自表面活性劑、 鰲合劑、化學改性劑、染料、生物殺滅劑及它們的混合物所組成的群組的添加 劑，條件是該添加劑不會不利地影響該配制料的剝離和清洗能力或下面的金屬、 硅、二氧化硅、層間介電體材料、低-k和/或高-k材料的完整性。

14.一種從基底去除選自光致抗蝕劑、離子注入光致抗蝕劑、蝕刻殘余物、 BARC以及它們的組合的物質的方法，其包括：將根據權利要求6的配制料施 用到所述基底從而從所述基底去除所述物質。