[發明專利]一種可調頻段濾波器及其實現方法有效
| 申請號: | 200710077430.3 | 申請日: | 2007-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN101170206A | 公開(公告)日: | 2008-04-30 |
| 發明(設計)人: | 唐瑞波 | 申請(專利權)人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/203 | 分類號: | H01P1/203 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 518057廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可調 頻段 濾波器 及其 實現 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種可調頻段的濾波器及其實現方法,屬于射頻器件制造領域,特別涉及的是一種電路參數可調的濾波器及其實現方法。
背景技術
現有技術中人們對射頻通訊系統的要求日益嚴格,為了提高系統的一些指標,設計起來方便,兼容頻段的較寬,需要一種可調頻段濾波器。
目前對諧波抑制的方式主要有2種方式:集中參數濾波器和分布參數濾波器。在100MHz~1GHz頻段內,一般采用LC集中參數濾波器來實現,1GHz以上頻段,一般采用分布式微帶電路來實現濾波功能。100MHz-1GHz頻段內,濾波器的原理圖如圖1所示,圖2是圖1相對應的PCB(印刷電路板)版圖。這種的濾波器的優點是占用面積小,電路參數在PCB上可以調試,缺點是只能適用于100MHz-1GHz頻段。1GHz以上頻段濾波器的原理圖如圖3所示,該種設計的缺點是在PCB板出來后,電路性能不可調,一般不同頻段的濾波器要做2塊以上的試驗板才能成功。
上面的兩種實現方法主要受制于電容的Q值在高頻的表現。
在高頻的電感和電容中由于寄生參數的影響,可以把單個器件看作一個諧振網絡,所以存在Q值。電感、電容的Q值=理想電感或者電容周期內耗能/寄生電阻周期內耗能=wL/r,其中的w并不代表諧振頻率,而是任意頻率。可以看出,當r一定時,在較高的頻率時會獲得比較好的Q值。當頻率一定時,Q值越高則能獲得較好的濾波特性或者較小的額外噪聲引入值,Q值越高,頻率選擇性越好。一般用在高頻電路中的電容電感要求都是要高Q值。但是現有電容的Q值在高頻的性能都不是非常好,除了那些價格昂貴且電容值不齊全的微波電容。高頻時LC濾波器的限制是電容,不是電感。
由于上述兩種濾波器實現的電路形式不一樣,相應PCB的布局也就差別很大,而這種差異如果在高集成度的射頻板上實現的話,將會導致一個問題:不同頻段的單板布局差異很大,設計階段PCB工作量大。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可調頻段濾波器及其實現方法,所要解決的技術問題是:克服上述的集中參數和分布參數濾波器存在的問題和缺點,提供一種集中參數和分布參數相結合的可調頻段濾波器的實現方法。
本發明采用以下技術方案:
一種可調頻段濾波器,其設置在一承載板上,其中,在輸入端和輸出端之間設置有分布式微帶電容,由兩微帶線形成;并在該分布式微帶電容上焊接設置有一集中參數電感。
所述的可調頻段濾波器,其中,還設置有兩個電容焊盤,用于焊接與所述分布式微帶電容并聯的集中參數電容。
所述的可調頻段濾波器,其中,所述承載板為FR4玻璃纖維板。
一種可調頻段濾波器的實現方法,其包括以下步驟:
A、在承載板上設置兩微帶線形成分布式微帶電容,該兩微帶線分別連接輸入端和輸出端;
B、在所述兩微帶線之間焊接設置集中參數電感,選擇所焊接的所述集中參數電感以適應頻段的濾波。
所述的實現方法,其中,還包括步驟:
C、焊接設置與所述分布式微帶電容相并聯的集中參數電容,選擇所焊接的所述集中參數電容以適應頻段的濾波。
所述的實現方法,其中,所述集中參數電容設置為兩個,設置在所述集中參數電感和所述分布式微帶電容兩側。
本發明所提供的一種可調頻段濾波器及其實現方法,由于采用集中參數和分布參數相結合的方式,吸取了兩種形式濾波器的優點,實現可調頻段濾波器的功能,與現有技術相比,取得了電路參數可調的進步,達到了適用不同頻段都可以濾波的效果,在抑制度不是很高的情況下,可以在同一個單板上兼容不同頻段,節省了成本,提高了穩定性、適合大規模的生產。
附圖說明
圖1是現有技術的LC濾波器的電路原理圖;
圖2是現有技術的LC濾波器的PCB結構圖;
圖3是現有技術的微帶濾波器PCB結構圖;
圖4是本發明的集中參數和分布參數相結合的可調頻段濾波器PCB結構圖。
具體實施方式
以下結合附圖,將對本發明的各較佳實施例進行更為詳細的說明。
本發明可調頻段濾波器及其實現方法,其裝置的結構框圖如圖4所示,其包括了分布式微帶電容,由微帶線1和微帶線2構成,該分布式微帶電容可通過預先計算,針對不同的頻段選擇確定的微帶線1和微帶線2;一集中參數電感L、與所述分布式微帶電容相并聯的集中參數電容C2、C3。
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