[發明專利]場發射光源

無效

• 申請號: 200710077011.X
• 申請日: 2007-09-07
• 公開（公告）號: CN101383264A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 付偉琦;魏洋;柳鵬;劉亮;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01J63/02
• 分類號: H01J63/02;H01J63/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種光源，尤其涉及一種場發射光源。

背景技術

場發射光源是一種新興光源，其發光原理是在電場作用下，低電勢處的金屬尖端、碳納米管等電子發射體發射出電子，轟擊高電勢處的熒光體而發出可見光，請參閱＂A?Fully?Sealed?Luminescent?Tube?Based?on?Carbon?Nanotube?FieldEmission＂，Mirko?Croci，et?al，Microelectronics?Journal，vol.35，p329～336(2004)。

目前關于采用碳納米管作為場發射光源的研究主要集中在平面光源領域，平面光源主要應用于各種背光模組中。在平面光源中，由于屏蔽效應，能有效發射電子的碳納米管較少，因此此種設計的場發射光源發光效率并不高。

有鑒于此，有必要提供一種具有更高發光效率的場發射光源。

發明內容

以下將以實施例說明一種具有更高發光效率的場發射光源。

一種場發射光源，包括基座、支撐體、殼體、陰極及陽極，所述殼體安裝在所述基座上從而與所述基座定義出一收容空間，所述支撐體包括第一端與第二端，所述支撐體的第一端與所述基座相連，所述第二端自所述第一端向所述收容空間內延伸，所述陰極連接在所述第二端上，所述陽極設置于所述殼體內壁上，所述陽極上設置有熒光粉，其中，所述陰極包括基體，所述基體表面設置碳納米管，所述基體呈多面體狀、球狀或橢球狀。

所述場發射光源中，采用球形的陰極作為發射源，得到了發射效率高、發射穩定的球面光源。

附圖說明

圖1是本技術方案提供的場發射光源結構示意圖。

圖2是本技術方案提供的場發射光源場發射電流-電壓曲線。

圖3是本技術方案提供的場發射光源場發射穩定性測試曲線。

具體實施方式

參閱圖1，本技術方案第一實施例的場發射光源100包括基座10、殼體11、陽極12、支撐體13、陰極14。

基座10由絕緣材料制成，如玻璃、陶瓷等。殼體11一端具有開口110，殼體11具有開口110的一端安裝在基座10上從而使殼體11與基座10共同定義出一個密閉的收容空間。殼體11可由透明的絕緣材料制成，例如玻璃或透明陶瓷。殼體11可為球狀、橢球狀或梨狀，本實施例當中殼體11呈梨狀。

陽極12為一層透明導電薄膜例如氧化銦錫薄膜或者鋁膜。本實施例當中陽極12為透明的氧化銦錫薄膜。陽極12形成在殼體11內壁上。導線122穿過基座10并與陽極12電連接，導線122用于將陽極12電連接到電源上。在陽極12靠近陰極14的一側上設置有熒光粉15。熒光粉15可為白色熒光粉，也可為彩色熒光粉。當陽極12采用鋁膜時，熒光粉15應設置在陽極12與殼體11之間，陰極14發射出的電子可穿過鋁膜到達熒光粉15。

支撐體13包括第一端132與第二端134。第一端132突出基座10，從而可用于與外界電源電連接，第二端134位于殼體11中心。支撐體13由高導電率的金屬或合金例如銅或鋁形成。陰極14包括基體142與形成在基體142表面的陰極發射體144。基體142連接在支撐體13的第二端134上。

基體142可為多面體狀、球狀或橢球狀，本實施例中，基體142為球狀。球狀基體142使陰極14在各個方向上發光均勻，而多面體狀的基體142則可使陰極14在不同的方向上具有不同的發光特性。基體142可由金屬、合金、或非金屬材料，只須其能耐受500度的溫度不熔化即可。例如不銹鋼、鐵、鈷、鎳、銅、鋁等。本實施例中，基體142為不銹鋼小球。基體142的大小比殼體11內的空間小即可。優選的，基體142可與殼體11同心設置，如此設計可使基體142表面上各點到殼體11之間的距離相等，從而使得電子的發射更加均勻。

陰極發射體144包括大量碳納米管，碳納米管可直接熔接在基體142上，也可通過導電的粘結層粘結在基體142上，例如可使用銀膠將碳納米管粘結在基體142上。碳納米管可為單壁碳納米管或多壁碳納米管。長度可為10微米到10毫米。

由于殼體11內需要保持一定的真空度，因此，優選的，可在殼體11內壁上設置吸氣劑(圖未示)，如蒸散型吸氣劑金屬膜。吸氣劑可采用蒸鍍的方式在殼體11密封前形成在殼體11的內壁上，例如，設置在殼體11靠近開口110的一端的內壁上，或者形成在支撐體13的表面。