[發明專利]靜電放電保護電路及使用其的電子產品

有效

• 申請號: 200710076721.0
• 申請日: 2007-08-28
• 公開（公告）號: CN101378191A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 黃宇聰;楊云;馮衛
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H01L23/60
• 代理公司: 深圳市港灣知識產權代理有限公司
• 代理人: 馮達猷

1.一種靜電放電保護電路，用于保護集成電路免受靜電放電損害，所述靜電放電保護電路包括：

至少一個放電電路，用于提供放電路徑，其中，所述放電電路包括：

第一MOS晶體管，其源極用于接收輸入的靜電放電信號；以及

開關元件，具有輸入端、第一輸出端及第二輸出端，其中，其輸入端與所述第一MOS晶體管的柵極相連，其第一輸出端與所述第一MOS晶體管的漏極相連，其第二輸出端與接地電壓相連；以及

箝位電路，與所述放電電路相連，正常工作時，所述箝位電路提供第一電壓給所述放電電路，以關閉所述放電電路；發生靜電放電時，提供第二電壓給所述放電電路，以開啟所述放電電路；其特征在于：

所述箝位電路包括：

電壓源；

第二MOS晶體管，第二MOS晶體管的柵極接地，其源極與所述電壓源相連；

第三MOS晶體管，第三MOS晶體管的柵極與所述第二MOS晶體管的柵極相連，其源極與所述第二MOS晶體管的漏極相連；

第四MOS晶體管，第四MOS晶體管的柵極與所述第三MOS晶體管的漏極相連，其漏極與所述放電電路開關元件的輸入端相連，其源極與接地電壓相連；以及

第五MOS晶體管，第五MOS晶體管的柵極與所述第三MOS晶體管的漏極相連，其源極與漏極分別與接地電壓相連。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述第二MOS晶體管及第三MOS晶體管均為P溝道MOS晶體管。

3.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述第四MOS晶體管及第五MOS晶體管均為N溝道MOS晶體管。

4.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述第一MOS晶體管為P溝道MOS晶體管。

5.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述開關元件為N溝道MOS晶體管。

6.一種電子產品，其特征在于，所述電子產品包括：

集成電路；以及

如權利要求1至5項任一項所述的靜電放電保護電路，與所述集成電路并行連接，用于避免集成電路受靜電放電損害。