[發明專利]薄膜晶體管基板制造方法

有效

• 申請號: 200710075664.4
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101364572A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 林耀楠
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管基板制造方法。

背景技術

目前，液晶顯示器逐漸取代用在計算器的傳統陰極射線管 (Cathode?Ray?Tube，CRT)顯示器，而且，由在液晶顯示器具輕、 薄、小等特點，使其非常適合應用在臺式計算機、掌上型計算機、 個人數字助理(Personal?Digital?Assistant，PDA)、便攜式電話、電 視和多種辦公自動化和視聽設備中。液晶面板是其主要組件，其 一般包括一薄膜晶體管基板、一彩色濾光片基板和夾在該薄膜晶 體管基板和該彩色濾光片基板之間的液晶層。

請參閱圖1，是一種現有技術薄膜晶體管基板100的結構示 意圖。該薄膜晶體管基板100包括一基底101、一位于基底101 上的柵極102、一位于該柵極102和該基底101上的柵極絕緣層 103、一位于該柵極絕緣層103上的半導體層104、一位于該半導 體層104和該柵極絕緣層103上的源極105和漏極106、一位于 該柵極絕緣層103、該源極105和該漏極106上的鈍化層107以 及一位于該鈍化層107上的像素電極108。

請參照圖2，是該薄膜晶體管基板100的制造方法的流程圖。 該制造方法采用五道光刻工藝，包括以下步驟：

一、第一道光刻工藝

(1)形成柵極金屬層：提供一絕緣基底101，在該絕緣基底 101上依序形成一柵極金屬層和一第一光阻層；

(2)形成柵極：以第一道光刻的圖案對該第一光阻層進行曝 光顯影，從而形成一第一光阻層圖案；以該第一光阻層圖案為遮 罩對該柵極金屬層進行刻蝕，進而形成一柵極102，移除第一光 阻層。

二、第二道光刻工藝

(3)形成柵極絕緣層、非晶硅和摻雜非晶硅層：在具有該柵 極的絕緣基底上形成一柵極絕緣層103、一非晶硅和摻雜非晶硅 層和一第二光阻層；

(4)形成半導體層：以第二道光刻的圖案對該第二光阻層進 行曝光顯影，從而形成一第二光阻層圖案；以該第二光阻層圖案 為遮罩對該摻雜非晶硅層和該非晶硅層進行刻蝕，進而形成具有 一預定圖案的半導體層104，移除第二光阻層。

三、第三道光刻工藝

(5)形成源/漏極金屬層：在該基底和該半導體層圖案上形成 一源/漏極金屬層和一第三光阻層；

(6)形成源/漏極金屬層圖案：以第三道光刻的圖案對該第三 光阻層進行曝光顯影，從而形成一第三光阻層圖案；以該第三光 阻層圖案為遮罩對該源/漏極金屬層進行刻蝕，進而形成一源極 105和一漏極106，并對摻雜非晶硅層進行刻蝕形成一溝槽，移除 第三光阻層。

四、第四道光刻工藝

(7)形成鈍化層：在具有該柵極、源極和漏極的基底上沉積 一鈍化層和一第四光阻層；

(8)形成鈍化層圖案：以第四道光刻的圖案對該第四光阻層 進行曝光顯影，從而形成一第四光阻層圖案；以該第四光阻層圖 案為遮罩對該鈍化層進行刻蝕，進而定義出一鈍化層107的圖案， 移除第四光阻層。

五、第五道光刻工藝

(9)形成一導體層：在具有該柵極、源極、漏極和鈍化層圖 案的基底上形成一導體層和一第五光阻層；

(10)形成像素電極：以第五道光刻的圖案對該第五光阻層進 行曝光顯影，從而形成一第五光阻層圖案；以該第五光阻層圖案 為遮罩對該導體層進行刻蝕，進而圖案化該導體層，形成像素電 極108，移除該第五光阻層。

但是，該方法需要較多光刻工藝，而光刻工藝通常較為復雜且 成本較高，從而使得制造成本較高。另外，在每一次光刻工藝的微 影生產過程中，灰塵的污染以及曝光的好壞會直接影響整個產品的 良率，因此，光刻工藝較多易增加降低產品良率的機會。

發明內容

為解決現有技術中制造薄膜晶體管基板工藝復雜且成本高的問 題，有必要提供一種工藝簡單且成本低的薄膜晶體管基板制造方法。