[發明專利]一種高分辨率的半導體核輻射探測器

有效

• 申請號: 200710075334.5
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101281148A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 姚棟樑;李勝輝
• 申請（專利權）人: 江蘇天瑞信息技術有限公司
• 主分類號: G01N23/223
• 分類號: G01N23/223;G01T1/24
• 代理公司: 深圳市凱達知識產權事務所
• 代理人: 劉大彎

1.?一種高分辨率的半導體核輻射探測器，包括高純的N型半導體硅片、入射X射線探測本征區、點狀N型陽極、P型漂移電極和第一級場效應管，其特征在于：所述半導體硅片為圓形，所述探測本征區由圓形的均勻的位于所述高純N型半導體硅片的射線入射面的P-N結組成，所述點狀的N型陽極位于入射面背面的對應于所述本征區外的區域，并被以該N型陽極為焦點的P型漂移電極環繞，所述P型漂移電極為若干以所述N型陽極為焦點的凸圓狀環形條狀，所述第一級場效應管內置于所述N型陽極中。

2.?根據權利要求1所述高分辨率的半導體核輻射探測器，其特征在于：所述凸圓環形P型漂移電極的凸圓環形由一大圓和與其相連的小凸圓弧閉合組成，所述入射X射線探測本征區的背面區域為凸圓環形P型漂移電極的大圓所在區域。

3.?根據權利要求1或2所述高分辨率的半導體核輻射探測器，其特征在于：所述半導體核輻射探測器的點狀陽極處設有復位端，所述復位端與一周期脈沖復位裝置相連。

4.?如權利要求1所述的一種高分辨率的半導體核輻射探測器的制造方法，其特征在于：在高純的N型半導體硅片的射線入射面制備一大面積均勻的P-N結，制備成一圓形的探測射線的本征區，而在另外一面的對應于該本征區外制備一個點狀的N型陽極，并制備以該陽極為焦點的凸圓環狀的若干P型漂移電極，最后將第一級場效應管內置于陽極中。