[發明專利]負電壓產生電路有效
| 申請號: | 200710074776.8 | 申請日: | 2007-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN101320149A | 公開(公告)日: | 2008-12-10 |
| 發明(設計)人: | 李仲儒 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;H02M3/155 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 產生 電路 | ||
1.一種負電壓產生電路,其特征在于:其包括一第一開關管、一第二開關管、一第三開關管、一第四開關管、一第一電容、一第二電容、一開關控制器、一電壓輸入端和一電壓輸出端,該電壓輸入端通過該第一開關管的源極和漏極、該第一電容、該第二開關管的源極和漏極接地,該第一開關管的漏極通過該第三開關管的源極和漏極、該第二電容、該第四開關管的源極和漏極連接到該第二開關管的源極,該第三開關管的漏極接地,該第四開關管的源極連接到該電壓輸出端,該開關控制器輸出控制信號到該第一、第二、第三和第四開關管的柵極,該控制信號控制該第一和第二開關管導通且該第三和第四開關管關閉,或該第三和第四開關管導通且該第一和第二開關管關閉。
2.如權利要求1所述的負電壓產生電路,其特征在于:該第一和第二開關管為N型金屬氧化物半導體晶體管,該第三和第四開關管為P型金屬氧化物半導體晶體管。
3.如權利要求1所述的負電壓產生電路,其特征在于:該第一和第二開關管為P型金屬氧化物半導體晶體管,該第三和第四開關管為N型金屬氧化物半導體晶體管。
4.如權利要求1所述的負電壓產生電路,其特征在于:該四個開關管均為N型金屬氧化物半導體晶體管,該負電壓產生電路進一步包括一連接到該開關控制器和該第三、第四開關管之間的反相器,該開關控制器輸出的控制信號通過該反相器反相后輸出到該第三和第四開關管。
5.如權利要求1所述的負電壓產生電路,其特征在于:該電壓輸入端被加載一12V直流電壓,該控制信號為一連續方波。
6.一種負電壓產生電路,其包括:
一電壓輸入端,用來輸入正電壓;
一電壓輸出端,用來輸出負電壓;
一第一開關管、一第一電容和一第二開關管,依次串聯在該電壓輸入端和地之間;
一第三開關管,接在該第一開關管和該第一電容間一節點和地之間;
一第四開關管,接在該第二開關管和該第一電容間一節點和該電壓輸出端之間;
一第二電容,接在該電壓輸出端和地之間;
一開關控制器,用來控制該四個開關管;
其特征在于:該開關控制器輸出控制信號到該第一、第二、第三和第四開關管的柵極,該控制信號控制該第一和第二開關管導通且該第三和第四開關管關閉,或該第三和第四開關管導通且該第一和第二開關管關閉,當該第一和第二開關管導通該第三和第四開關管關閉時,該第一電容被充電;該第三和第四開關管導通該第一和第二開關管關閉時,該第一電容放電。
7.如權利要求6所述的負電壓產生電路,其特征在于:該第一和第二開關管為N型金屬氧化物半導體晶體管,該第三和第四開關管為P型金屬氧化物半導體晶體管。
8.如權利要求6所述的負電壓產生電路,其特征在于:該第一和第二開關管為P型金屬氧化物半導體晶體管,該第三和第四開關管為N型金屬氧化物半導體晶體管。
9.如權利要求6所述的負電壓產生電路,其特征在于:該四個開關管均為N型金屬氧化物半導體晶體管,該負電壓產生電路進一步包括一反相器,該反相器連接在該開關控制器和該第三、第四開關管之間,用來將該開關控制器輸出到該第三和第四開關管的控制信號反相。
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