[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710074014.8
• 申請日: 2007-04-13
• 公開（公告）號: CN101286515A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 葉冠華;吳宏基;黃榮龍
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種薄膜晶體管基板，其包括一玻璃基板、一形成在該玻璃基板上的半導體層圖案、一形成在該半導體層圖案上的第一柵極絕緣層和一形成在該第一柵極絕緣層上的柵極和公共電容電極，其中該半導體層圖案包括一重摻雜多晶硅圖案和一輕摻雜多晶硅圖案，其特征在于：該柵極和該公共電容電極對應該輕摻雜多晶硅圖案。

2.?如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該重摻雜多晶硅圖案為P型半導體材料，該輕摻雜多晶硅圖案為N型半導體材料，或該重摻雜多晶硅圖案為N型半導體材料，該輕摻雜多晶硅圖案為P型半導體材料。

3.?如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：還包括多條形成在該第一柵極絕緣層上的柵極線，且該柵極和該公共電容電極與該柵極線均為一體結構。

4.?如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該輕摻雜多晶硅圖案包括一第二電極，其與該公共電容電極相對應，形成一第二電容。

5.?如權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其還包括一形成在該柵極、該公共電容電極和該第一柵極絕緣層上的第二柵極絕緣層和一形成在該第二柵極絕緣層上的漏極、源極、柵極接觸金屬和電容接觸金屬，其中該電容接觸金屬與該第二電極電連接。

6.?如權利要求5所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其還包括一形成在該第二柵極絕緣層、該漏極、該源極、該柵極接觸金屬和該電容接觸金屬上的鈍化層和一形成在該鈍化層上的透明導電層圖案，其中該透明導電層圖案包括一像素電極和一第一電極，該第一電極與該公共電容電極相對應，形成一第一電容。

7.?如權利要求6所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該第一電極與該第二電極電連接。

8.?一種薄膜晶體管基板制造方法，其包括以下步驟：

a.提供一玻璃基板，在一道掩膜制造過程中在該玻璃基板上形成一多晶硅層圖案；

b.在該玻璃基板和多晶硅層圖案上形成一第一柵極絕緣層；

c.在一道掩膜制造過程中在該第一柵極絕緣層上形成一柵極和公共電容電極；

d.利用該柵極和公共電容電極作為遮蔽物，對該多晶硅層圖案進行重摻雜離子，形成重摻雜多晶硅圖案和輕摻雜多晶硅圖案，且使該柵極和該公共電容電極對應該輕摻雜多晶硅圖案。

9.?如權利要求8所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：還包括一步驟f：在該第一柵極絕緣層、該柵極和該公共電容電極上形成一第二柵極絕緣層，并在一道掩膜制造過程中，形成一源極接觸孔、漏極接觸孔、柵極接觸孔和電容電極接觸孔；和一步驟g：在一道掩膜制造過程中在該第二柵極絕緣層上形成一源極、漏極、柵極接觸金屬和電容接觸金屬。

10.?如權利要求9所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：還包括一步驟h：在一道掩膜制造過程中在該第二柵極絕緣層、源極、漏極、柵極接觸金屬和電容接觸金屬上形成一鈍化層、第一通孔和第二通孔；和一步驟i：在一道掩膜制造過程中在該鈍化層、漏極和電容接觸金屬上形成一透明導電層圖案。