[發明專利]電磁屏蔽線纜

有效

• 申請號: 200710073891.3
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101286383A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 李錫福;劉亮;姜開利;陳清龍;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01B11/00
• 分類號: H01B11/00;H01B11/18;H01B11/06;H05K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種線纜，尤其涉及具有電磁屏蔽功能的線纜。

背景技術

電磁屏蔽(Electro?Magnetic?Interference，EMI)線纜是電子產業里較為常用的信號傳輸線材。傳統的線纜內部設置有兩個導體，內導體用以傳輸電信號，外導體用以屏蔽傳輸的電信號并且將其封閉在內部，從而使線纜具有高頻損耗低、屏蔽及抗干擾能力強、使用頻帶寬等特性。一般情況下，電磁屏蔽線纜從內至外的結構依次為形成內導體的纜芯、包覆在纜芯外表面的絕緣介質層、形成外導體的屏蔽層和外護套。其中，纜芯用來傳輸電信號，材料以銅或銅鋅合金為主。屏蔽層通常由多股金屬線編織或用金屬薄膜卷覆在絕緣介質層外形成，用以屏蔽電磁干擾或無用外部信號干擾。但是，在實際使用中，金屬線編織或金屬薄膜的屏蔽效果未能完全屏蔽外部的電磁干擾或無用外部信號干擾。

綜上所述，確有必要提供一種電磁屏蔽線纜，該線纜內部設置的屏蔽層具有良好的電磁屏蔽性能。

發明內容

下面將以實施例說明一種電磁屏蔽線纜，其具有良好的電磁屏蔽效果。

本發明涉及一種電磁屏蔽線纜，包括至少一個纜芯、包覆在纜芯外的至少一個絕緣介質層、至少一個電磁屏蔽層和外護套，其中，電磁屏蔽層包括碳納米管薄膜結構和金屬層。

本發明采用碳納米管薄膜結構和金屬層共同作為電磁屏蔽層，因碳納米管具有良好的導電性能從而使電磁屏蔽層具有較強的屏蔽效果。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構示意圖。

圖2是本發明第二實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構示意圖。

圖3是本發明第三實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖詳細說明本發明實施例電磁屏蔽線纜的結構及其制造方法。

本發明電磁屏蔽線纜包括至少一纜芯、包覆在纜芯外的至少一絕緣介質層、至少一電磁屏蔽層和外護套。

請參考圖1，本發明第一實施例的電磁屏蔽線纜10為電磁屏蔽同軸線纜，包括一個纜芯110、包覆在纜芯110外的絕緣介質層120、包覆在絕緣介質層120外的屏蔽層130和包覆在屏蔽層130外的外護套140。其中，纜芯110、絕緣介質層120、屏蔽層130和外護套140同軸設置。

纜芯110可以由一個單獨的導電芯構成，也可以由多個導電絲相互纏繞形成，附圖中僅顯示一單獨的導電芯。導電芯或導電絲均由導電材料制成，可以選用導電金屬材料、導電金屬合金材料、碳納米管線或含碳納米管的復合導電材料。其中，導電金屬材料優選銅或鋁。導電金屬合金材料優選銅鋅合金或銅銀合金，其中，銅鋅合金中銅的質量百分比約為70％，鋅的質量百分比約為30％；銅銀合金中銅的質量百分比約為10％～40％，銀的質量百分比約為60％～90％。碳納米管線為多個碳納米管間通過范德華力首尾相連從而形成預定長度的碳納米管束。碳納米管復合導電材料由碳納米管和含導電金屬的材料組成。優選地，碳納米管復合導電材料由碳納米管和含銅材料制成，含銅材料優選銅、銅鋅合金或銅銀合金。當碳納米管復合材料由銅和碳納米管組成時，碳納米管在銅材料中的重量百分比約為0.01％～2％；當碳納米管復合材料由銅鋅合金和碳納米管組成時，銅鋅合金中銅的重量百分比約為70％，鋅的重量百分比約為30％，碳納米管在銅鋅合金中的重量百分比約為0.01％～2％；當碳納米管復材料合由銅銀合金和碳納米管組成，合金中銅的重量百分比約為10％～40％，銀的重量百分比約為60％～90％，碳納米管在銅銀合金中的重量百分比約為0.01％～2％。

絕緣介質層120用于電氣絕緣，可以選用聚四氟乙烯或納米粘土-高分子復合材料。納米粘土-高分子復合材料中納米粘土是納米級層狀結構的硅酸鹽礦物，是由多種水合硅酸鹽和一定量的氧化鋁、堿金屬氧化物及堿土金屬氧化物組成，具耐火阻燃等優良特性，如納米高嶺土或納米蒙脫土。高分子材料可以選用硅樹脂、聚酰胺、聚烯烴如聚乙烯或聚丙烯等，但并不以此為限。本實施例優選納米蒙脫土-聚乙烯復合材料，其具有良好的電氣絕緣、耐火阻燃、低煙無鹵等特性，不僅可以為纜芯提供有效的電氣絕緣，保護纜芯，同時還能滿足環保的要求。

屏蔽層130由金屬層132和碳納米管薄膜結構134組成。金屬層132為多股金屬線編織或金屬薄膜。其中，金屬層132和碳納米管薄膜結構134依次包覆在絕緣介質層120外，即金屬層132包覆在絕緣介質層120外碳納米管薄膜結構包覆在金屬層132外或碳納米管薄膜結構134包覆在絕緣介質層120外金屬層132包覆在碳納米管薄膜結構134外。