[發明專利]偏光元件及其制備方法

有效

• 申請號: 200710073765.8
• 申請日: 2007-03-30
• 公開（公告）號: CN101276012A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 馮辰;姜開利;劉亮;張曉波;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種偏光元件，其包括一支撐體和一由支撐體支撐的偏光膜，其特征在于：該偏光膜包括至少一碳納米管薄膜，該偏光膜中碳納米管均沿同一方向定向排列。

2.?如權利要求1所述的偏光元件，其特征在于，該碳納米管薄膜的層數大于10層。

3.?如權利要求1所述的偏光元件，其特征在于，該碳納米管薄膜的厚度為0.01～100微米。

4.?如權利要求1所述的偏光元件，其特征在于，該碳納米管薄膜為多個首尾相連的碳納米管束以擇優取向排列形成的薄膜結構。

5.?如權利要求1所述的偏光元件，其特征在于，該支撐體為固定框架或透明基板。

6.?一種偏光元件的制備方法，其包括以下步驟：

提供一支撐體；

提供至少一層碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜中碳納米管均沿同一方向排列；以及

將上述碳納米管薄膜粘附固定于上述支撐體形成偏光元件。

7.?如權利要求6所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，進一步將多層碳納米管薄膜沿相同方向重疊地粘附固定于支撐體形成偏光元件，該偏光元件中碳納米管均沿同一方向排列。

8.?如權利要求6所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，上述碳納米管薄膜的制備方法包括以下步驟：

提供一碳納米管陣列；

從上述碳納米管陣列中選定一定寬度的多個碳納米管束；以及

以一定速度沿基本垂直于碳納米管陣列生長方向拉伸該多個碳納米管束，以形成一連續的碳納米管薄膜。

9.?如權利要求8所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，上述碳納米管陣列的制備方法包括以下步驟：

提供一平整基底；

在基底表面均勻形成一催化劑層；

將上述形成有催化劑層的基底在700～900℃的空氣中退火約30分鐘～90分鐘；以及

將處理過的基底置于反應爐中，在保護氣體環境下加熱到500～740℃，

然后通入碳源氣反應約5～30分鐘，生長得到高度為200～400微米的碳納米管陣列。

10.?如權利要求6所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，進一步包括用有機溶劑處理該偏光元件中的碳納米管薄膜。

11.?如權利要求10所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，上述使用有機溶劑處理碳納米管薄膜的方法包括通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管薄膜表面浸潤整個碳納米管薄膜，或將上述形成有碳納米管薄膜的支撐體整個浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。

12.?如權利要求11所述的偏光元件的制備方法，其特征在于，上述有機溶劑為乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。