[發明專利]靜電放電防護電路及其制造方法

有效

• 申請號: 200710073760.5
• 申請日: 2007-03-30
• 公開（公告）號: CN101277573A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 顏碩廷
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H05F3/04
• 分類號: H05F3/04;H05F3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種靜電放電防護電路，其特征在于；該靜電放電防護電路包括一硅基板、一催化層、一納米碳管層及一透明遮罩，該催化層及該奈米碳管層依次層疊設置于該硅基板表面，該透明遮罩收容該催化層及該奈米碳管層，并與該硅基板密封，該透明遮罩的內表面涂覆有熒光粉。

2.?如權利要求1所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該催化層為鐵薄膜、鈷薄膜或鎳薄膜之一。

3.?如權利要求1所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該透明遮罩的表面呈弧形。

4.?如權利要求1所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該透明遮罩為塑料射出透明遮罩或玻璃加熱沖壓透明遮罩。

5.?如權利要求1所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該催化層及該奈米碳管層的面積小于該硅基板的面積。

6.?如權利要求1所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該硅基板與該催化層相背的另一表面依次層疊設置一施主摻雜層及一鋁薄膜。

7.?如權利要求6所述的靜電放電防護電路，其特征在于：該鋁薄膜及該施主摻雜層與該硅基板的面積相同。

8.?一種靜電放電防護電路的制造方法，其包括以下步驟：

步驟a：提供一硅基板；

步驟b：應用物理氣相沉積法于該硅基板的表面沉積一催化層；

步驟c：依所需靜電放電防護電路的形狀，對該催化層進行蝕刻圖案化；

步驟d：應用化學氣相沉積法于該催化層上形成奈米碳管層；

步驟e：切割該硅基板，使切割后的每一塊硅基板均包括一催化層及一奈米碳管層；

步驟f：提供一透明遮罩；

步驟g：在透明遮罩內表面沉積涂布熒光粉，然后將該透明遮罩與硅基板密封。

9.?一種靜電放電防護電路的制造方法，其包括以下步驟：

步驟a：提供一硅基板；

步驟b：于該硅基板的一表面上重摻雜磷或砷等施主元素，形成施主摻雜層；

步驟c：于該施主摻雜層表面應用物理氣相沉積法沉積鋁金屬層以形成該鋁薄膜；

步驟d：應用物理氣相沉積法于該硅基板的另一表面上沉積一催化層；

步驟e：依所需靜電放電防護電路的形狀，對該催化層進行蝕刻圖案化；

步驟f：應用化學氣相沉積法于該催化層上形成奈米碳管層；

步驟g：切割該硅基板，使切割后的每一塊硅基板均包括一催化層及一奈米碳管層；

步驟h：提供一透明遮罩；

步驟i：在透明遮罩內表面沉積涂布熒光粉，然后將該透明遮罩與硅基板密封。

10.?如權利要求9所述的靜電放電防護電路的制造方法，其特征在于：該鋁薄膜及該施主摻雜層與該硅基板的面積相同。