[發明專利]移位寄存器及液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 200710073263.5 | 申請日: | 2007-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN101241766A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發明(設計)人: | 江建學;陳思孝 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C19/00 | 分類號: | G11C19/00;G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移位寄存器 液晶 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種移位寄存器及采用該移位寄存器的液晶顯示裝置。
背景技術
目前薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)液晶顯示裝置已逐漸成為各種數字產品的標準輸出設備,在制造過程中,需要設計適當的驅動電路以保證其穩定工作。
通常,液晶顯示裝置的驅動電路包括一數據驅動電路及一掃描驅動電路。數據驅動電路用于控制每一像素單元的顯示亮度,掃描驅動電路則用于控制薄膜晶體管的導通與截止。該二驅動電路均應用移位寄存器作為核心電路單元。通常,移位寄存器是由多個移位寄存單元串聯而成,并且前一移位寄存單元的輸出信號為后一移位寄存單元的輸入信號。
請參閱圖1,其是一種現有技術移位寄存器的移位寄存單元的電路圖。該移位寄存單元100包括一第一時鐘反相電路110、一換流電路120及一第二時鐘反相電路130。該移位寄存單元100的各電路均由PMOS(P-channel?Metal-OxideSemiconductor,P溝道金屬氧化物半導體)型晶體管組成,每一PMOS型晶體管均包括一柵極、一源極及一漏極。
該第一時鐘反相電路110包括一第一晶體管M1、一第二晶體管M2、一第三晶體管M3、一第四晶體管M4、一第一輸出端VO1及一第二輸出端VO2。該第一晶體管M1的柵極接收該移位寄存單元100的前一移位寄存單元的輸出信號VS,其源極接收來自外部電路的高電平信號VDD,其漏極連接至該第二晶體管M2的源極。該第二晶體管M2的柵極及其漏極接收來自外部電路的低電平信號VSS。該第三晶體管M3及該第四晶體管M4的柵極均接收來自外部電路的反相時鐘信號CK,兩者的漏極分別作為該第一時鐘反相電路110的第一輸出端VO1及第二輸出端VO2,且該第三晶體管M3的源極連接至該第一晶體管M1的漏極,該第四晶體管M4的源極連接至該第一晶體管M1的柵極。
該換流電路120包括一第五晶體管M5、一第六晶體管M6及一信號輸出端VO。該第五晶體管M5的柵極連接至該第一輸出端VO1,其源極接收來自外部電路的高電平信號VDD,其漏極連接至該第六晶體管M6的源極。該第六晶體管M6的柵極連接至該第二輸出端VO2,其漏極接收來自外部電路的低電平信號VSS,其源極是該移位寄存單元100的信號輸出端VO。
該第二時鐘反相電路130包括一第七晶體管M7、一第八晶體管M8、一第九晶體管M9及一第十晶體管M10。該第七晶體管M7的柵極連接至該信號輸出端VO,其源極接收來自外部電路的高電平信號VDD,其漏極連接至該第八晶體管M8的源極。該第八晶體管M8的柵極及其漏極均接收來自外部電路的低電平信號VSS。該第九晶體管M9的源極連接至該第一輸出端VO1,其柵極接收來自外部電路的時鐘信號CK,其漏極連接至該第七晶體管M7的漏極。該第十晶體管的柵極接收外部電路的時鐘信號CK,其源極連接至該第二輸出端VO2,其漏極連接至該信號輸出端VO。
請一并參閱圖2,其是該移位寄存單元100的工作時序圖。在T1時間內,該前一移位寄存單元的輸出信號VS由高電平跳變為低電平,反相時鐘信號CK由低電平跳變為高電平,則使該第三晶體管M3及該第四晶體管M?4截止,進而使該第一時鐘反相電路110斷開。而該時鐘信號CK由高電平跳變為低電平,使該第九晶體管M9及該第十晶體管M10導通,進而使該第二時鐘反相電路130導通,而該信號輸出端VO初始狀態的高電平經該第十晶體管M10,使該第六晶體管M6截止,而該第八晶體管M8輸出的低電平經由該第九晶體管M9,使該第五晶體管M5導通,進而使其源極的高電平信號VDD輸出至該信號輸出端VO,故該信號輸出端VO保持高電平輸出。
在T2時間內,該反相時鐘信號CK由高電平跳變為低電平,則使該第三晶體管M3及該第四晶體管M4導通,進而使該第一時鐘反相電路110導通。而該時鐘信號CK由低電平跳變為高電平,則使該第九晶體管M9及該第十晶體管M10截止,進而使該第二時鐘反相電路130斷開。該輸入信號VS由高電平跳變為低電平,則使該第一晶體管M1導通,其源極的高電平VDD經該第三晶體管M3截止該第五晶體管M5,且該輸入信號VS的低電平經該第四晶體管M4導通該第六晶體管M6,使該信號輸出端VO輸出低電平。
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