[發明專利]基于全橋結構的三相單級功率因數校正電路

無效

• 申請號: 200710072600.9
• 申請日: 2007-08-02
• 公開（公告）號: CN101102078A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 賁洪奇;孟濤
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42;H02M3/28
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 畢志銘

1、基于全橋結構的三相單級功率因數校正電路，其特征在于它由第一電感(La)、第二電感(Lb)、第三電感(Lc)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)、第四二極管(D4)、第五二極管(D5)、第六二極管(D6)、第一開關管(S₁)、第二開關管(S₂)、第三開關管(S₃)、第四開關管(S₄)、高頻變壓器(T)和帶負載電阻(RL)的整流電路(1)組成，所述的第一電感(La)的一端連接三相電源的一相，第一電感(La)的另一端連接第一二極管(D1)的正極和第二二極管(D2)的負極，第二電感(Lb)的一端連接三相電源的另一相，第二電感(Lb)的另一端連接第三二極管(D3)的正極和第四二極管(D4)的負極，第三電感(Lc)的一端連接三相電源的又一相，第三電感(Lc)的另一端連接第五二極管(D5)的正極和第六二極管(D6)的負極，第一二極管(D1)的負極連接第三二極管(D3)的負極、第五二極管(D5)的負極、第一開關管(S₁)的一端和第三開關管(S₃)的一端，第二二極管(D2)的正極連接第四二極管(D4)的正極、第六二極管(D6)的正極、第二開關管(S₂)的一端和第四開關管(S₄)的一端，第一開關管(S₁)的另一端連接第二開關管(S₂)的另一端和高頻變壓器(T)原邊的一端，第三開關管(S₃)的另一端連接第四開關管(S₄)的另一端和高頻變壓器(T)原邊的另一端，高頻變壓器(T)副邊連接整流電路(1)；第一開關管(S₁)、第二開關管(S₂)、第三開關管(S₃)和第四開關管(S₄)組成橋電路，所述第一開關管(S₁)和第二開關管(S₂)同時導通，第三開關管(S₃)和第四開關管(S₄)截止，或者第三開關管(S₃)和第四開關管(S₄)同時導通，第一開關管(S₁)和第二開關管(S₂)截止，三相電源對第一電感(La)、第二電感(Lb)和第三電感(Lc)充電，第一電感(La)、第二電感(Lb)和第三電感(Lc)中的電流線性上升，儲能增加；第一開關管(S₁)和第四開關管(S₄)同時導通，第二開關管(S₂)和第三開關管(S₃)截止，或者第二開關管(S₂)和第三開關管(S₃)同時導通，第一開關管(S₁)和第四開關管(S₄)截止，第一電感(La)、第二電感(Lb)、第三電感(Lc)和三相電源同時向整流電路(1)內的負載電阻(RL)供電，第一電感(La)、第二電感(Lb)和第三電感(Lc)中的電流近似線性下降，儲能減少。

2、根據權利要求1所述的基于全橋結構的三相單級功率因數校正電路，其特征在于所述的整流電路(1)由第一輸出二極管(D7)、第二輸出二極管(D8)、電容(C)和負載電阻(RL)組成，所述高頻變壓器(T)副邊的一端連接第一輸出二極管(D7)的正極，高頻變壓器(T)副邊的另一端連接第二輸出二極管(D8)的正極，第一輸出二極管(D7)的負極連接第二輸出二極管(D8)的負極、電容(C)的一端、和負載電阻(RL)的一端，電容(C)的另一端和負載電阻(RL)的另一端連接高頻變壓器(T)的中心抽頭。

3、根據權利要求1所述的基于全橋結構的三相單級功率因數校正電路，其特征在于所述的整流電路(1)由第三輸出二極管(D9)、第四輸出二極管(D10)、第五輸出二極管(D11)、第六輸出二極管(D12)、電容(C)和負載電阻(RL)組成，所述高頻變壓器(T)副邊的一端連接第三輸出二極管(D9)的正極和第四輸出二極管(D10)的負極，高頻變壓器(T)副邊的另一端連接第五輸出二極管(D11)的正極和第六輸出二極管(D12)的負極，第三輸出二極管(D9)的負極連接第五輸出二極管(D11)的負極、電容(C)的一端和負載電阻(RL)的一端，第四輸出二極管(D10)的正極連接第六輸出二極管(D12)的正極、電容(C)的另一端和負載電阻(RL)的另一端。