[發明專利]防治后發障形成的具抗增殖藥涂層的人工晶體無效
| 申請號: | 200710072249.3 | 申請日: | 2007-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN101053680A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 劉紅玲;張曉梅;程樹軍;楊巍 | 申請(專利權)人: | 劉紅玲 |
| 主分類號: | A61L27/54 | 分類號: | A61L27/54;A61L27/40;A61F2/16 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人: | 榮玲 |
| 地址: | 150001黑龍江省哈爾濱市南崗*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防治 后發障 形成 增殖 涂層 人工 晶體 | ||
技術領域
本發明涉及一種具有藥物涂層的人工晶體。
背景技術
后囊膜混濁(PCO)即后發障是白內障人工晶體植入術后最常見的并發癥,其發生率高達60%,兒童先天性白內障人工晶體植入術后發障的發生率高達100%,人們一直在不斷探索防治后發障的有效方法。后發障形成的原因,目前認為,后發障形成的主要原因是白內障術后殘留的晶狀體上皮細胞(lensepithelium?cells,IECs)在后囊增生、移行并化生為成纖維細胞,形成纖維膜而導致后囊的渾濁,而后囊的存在是術后殘留的LECs及其衍生細胞增生、移行、化生的良好支架。現代白內障手術保留了囊袋,囊袋由部分前囊和整個后囊組成,囊袋位于原位,起到隔離房水和玻璃體的作用,大部分囊袋內放置眼內人工晶體。術后留下的囊袋、透明的眼內晶體及薄層的后囊膜能夠保證光線通過視軸而不受影響。然而,剩余前囊膜的晶體上皮細胞會頑固地殘留,這些殘留細胞會重新增殖進入裸露的前囊區域,還會侵入人工晶體的表面,占據前囊的外表面,最重要的還會分布在原來非細胞成分的后囊。細胞的持續性分化最后覆蓋整個后囊而遮擋視軸,這些變化不斷加重,導致視力嚴重受損并需手術治療。目前已經有多種不同方法用于防治PCO,在對PCO的臨床治療上,主要是通過藥物治療的方法減少細胞的增長,其中包括藥物直接注入到前房并調整灌注液成分,但是,這些藥物釋放對其他組織有毒性作用,尤其是對角膜內皮的傷害而且作用時間短。因而研究藥物釋放的最佳釋放途徑顯得至關重要,目前釋放藥物的最佳途徑就是通過人工晶體載藥,這樣能便于控制藥物的釋放,同時局部達到較高濃度利于原位抑制有潛在增殖能力的細胞,但現有的載藥人工晶體存在對角膜作用時間短的問題。
發明內容
本發明是為了解決現有的載藥人工晶體存在對角膜作用時間短的問題,而提供一種防治后發障形成的具有抗增殖藥涂層的人工晶體。本發明中的防治后發障形成的具有抗增殖藥涂層的人工晶體是由普通人工晶體和含有抗增殖藥物的高分子涂層制成,其中含有抗增殖藥物的高分子涂層粘合在普通人工晶體的表面,高分子涂層的厚度為3至20微米。本發明采用高分子涂層材料將抗細胞增殖的藥物涂在人工晶體上,能緩慢釋放藥物到囊袋及赤道部細胞,抑制晶體上皮細胞的生長,防治后發障的形成。本發明中的藥物對角膜作用時間長,可有效釋放90至120天,治療效果好,患者使用本發明的人工晶體后,后發障形成率大大下降,從原來的60%以上降低到10%,而且無不良反應。
附圖說明
圖1是加入抗增殖藥物培養的晶體上皮細胞和正常培養的晶體上皮細胞在相同培養時間內的細胞增殖情況比較圖,其中A是正常培養的晶體上皮細胞,B是加入抗增殖藥物培養的晶體上皮細胞;圖2是本發明中抗增殖藥物的累積藥物釋放曲線圖。
具體實施方式
具體實施方式一:本實施方式中防治后發障形成的具有抗增殖藥涂層的人工晶體是由普通人工晶體和含有抗增殖藥物的涂層制成,其中含有抗增殖藥物的涂層粘合在普通人工晶體的表面,涂層的厚度為3至20微米。
具體實施方式二:本實施方式與具體實施方式一的不同點在于具有抗增殖藥的涂層可以涂于普通人工晶體的邊緣非光學區部分及晶體的襻上、普通人工晶體的襻上、普通人工晶體的表面及晶體的襻上或普通人工晶體的非角膜接觸面及晶體的襻上。其它組成與具體實施方式一相同。
具體實施方式三:本實施方式與具體實施方式一的不同點在于普通人工晶體是聚甲基丙烯酸甲酯人工晶體、硅凝膠晶體、玻璃晶體、水凝膠、聚碳酸酯、聚硅氧烷或以硅凝膠和水凝膠為材料制成的折疊式人工晶體中的一種。其它組成與具體實施方式一相同。
具體實施方式四:本實施方式與具體實施方式一的不同點在于具有抗增殖藥的涂層的厚度為5至15微米。其它組成與具體實施方式一相同。
具體實施方式五:本實施方式與具體實施方式一的不同點在于含有抗增殖藥物的涂層中的抗增殖藥物為紫杉醇或紫杉醇衍生物中的一種,其中紫杉醇衍生物為14β-側鏈紫杉醇或多烯紫杉醇。其它組成與具體實施方式一相同。
具體實施方式六:本實施方式與具體實施方式一的不同點在于含有抗增殖藥物的涂層中的抗增殖藥物為雷帕霉素或雷帕霉素衍生物,其中雷帕霉素衍生物為CCI-779、RAD001、AP23576或everolimus。其它組成與具體實施方式一相同。
本實施方式中的抗增殖藥物能抑制晶體上皮細胞生長,如圖1所示:和正常培養的晶體上皮細胞相比,在相同時間內,加入抗增殖藥物培養的晶體上皮細胞的生長明顯受到抑制,細胞分布稀疏。
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